[发明专利]SiC纤维增强增韧(SiC-BN)m在审

专利信息
申请号: 202110773874.0 申请日: 2021-07-08
公开(公告)号: CN113354435A 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: 成来飞;叶昉;宋超坤;刘永胜;张立同 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C04B35/80 分类号: C04B35/80;C04B35/583;C04B35/565
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: sic 纤维 增强 bn base sub
【权利要求书】:

1.一种SiC纤维增强增韧(SiC-BN)m多元多层自愈合陶瓷基复合材料,其特征在于:在SiC纤维预制体中制备热解碳界面和SiC基体形成半致密SiC/SiC复合材料;在半致密SiC/SiC复合材料内部交替沉积SiC和BN基体,形成SiC-BN多元多层基体(SiC-BN)m;其中BN与SiC的层厚比为t,交替次数为n;所述n大于1小于5;所述t层厚比大于0.5小于2。

2.根据权利要求1所述SiC纤维增强增韧(SiC-BN)m多元多层自愈合陶瓷基复合材料,其特征在于:所述多元多层基体中BN的体积分数不应低于5%,低模量BN含量不应超过10vol.%。

3.一种制备权利要求1或2所述SiC纤维增强增韧(SiC-BN)m多元多层自愈合陶瓷基复合材料的方法,其特征在于步骤如下:

步骤1、制备PyC界面:采用CVD/CVI法在SiC纤维预制体内制备均匀致密的PyC界面,以获得弱界面结合的复合材料;

步骤2、制备半致密SiCf/SiC复合材料:采用CVD/CVI法在含有界面相的SiC纤维预制体上沉积20-30vol.%、连续致密的SiC基体,获得半致密SiCf/SiC复合材料;

步骤3、制备多元多层(SiC-BN)m基体:

采用CVD/CVI法在半致密SiCf/SiC复合材料中循环沉积BN和SiC基体,每一个循环周期均为先沉积BN然后沉积SiC;

将半致密SiCf/SiC复合材料悬挂于BN沉积炉配套架上,通入三氯化硼BCl3、氨气NH3,稀释气体氩气Ar和催化气体氢气H2;保持炉内压力为2kPa-5kPa,沉积温度在900℃-1000℃温度范围内,沉积时间为20-200h,获得目标厚度且连续致密的BN基体;

将沉积BN基体的半致密SiCf/SiC复合材料悬挂于SiC沉积炉配套架上,采用三氯甲基硅烷CH3Cl3Si-Ar-H2体系沉积SiC基体;沉积温度设为700-1100℃,MTS作为反应气,H2作为反应气和稀释气,Ar作为稀释气,保持炉内压力为2kPa-5kPa,沉积SiC基体40-80h;通过交替沉积BN和SiC基体,最终得到致密的多元多层SiCf/(SiC-BN)m复合材料,在800-1000℃具有自愈合性能;

BN与SiC基体循环次数n大于1小于5;

通过控制沉积时间控制SiC基体的层厚,使得BN与SiC的层厚比大于0.5小于2。多元多层结构SiCf/(SiC-BN)m

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:所述SiC纤维预制体采用二维2D、二维半2.5D、三维3D编织的SiC纤维预制体。

5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:所述步骤3沉积BN时:BCl3流量为100-400ml/min,NH3流量为300-700ml/min,Ar流量为300-500ml/min,H2流量为700-1100ml/min。

6.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:所述步骤3沉积SiC时:所述MTS流量为50-300ml/min,H2流量为200-500ml/min,Ar流量为300-500ml/min。

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