[发明专利]一种多孔型室温磁制冷复合材料及其制备方法

权利要求书

1.一种多孔型室温磁制冷复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：预处理

取磁制冷材料，室温下加工成颗粒，得到磁制冷材料颗粒；

取高分子材料，室温下加工成颗粒，得到高分子材料颗粒；

步骤2：混合

将步骤1得到的磁制冷材料颗粒、步骤2得到的高分子材料颗粒及挥发性材料按重量比为(1-50):1:(1-50)均匀混合，得到混合物；

步骤3：冷压成型

将步骤3得到的混合物，冷压成型，得到磁制冷复合材料；

步骤4：挥发

将步骤3得到的磁制冷复合材料先升温至100℃-150℃，恒温5min-30min后冷却至室温，即得到多孔型室温磁制冷复合材料。

2.根据权利要求1所述的多孔型室温磁制冷复合材料的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述磁制冷材料为La(Fe,Si)13基化合物、Gd-Ge-Si基化合物、Ni-Mn-In基化合物、LaCaMnO₃、MnAs基化合物和Gd中的任意一种或两种以上的混合物。

3.根据权利要求2所述的多孔型室温磁制冷复合材料的制备方法，其特征在于，所述La(Fe,Si)13基化合物为La(FeSi)13、La(FeSi)13R₁、La(FeCoSi)13、La(FeCoSi)13R₁、LaR(FeSi)13、LaR(FeSi)13R₁、LaR(FeCoSi)13和LaR(FeCoSi)13R₁中的任意一种，其中，R为Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的任意一种，R₁为C、H和CH中的任意一种。

4.根据权利要求2所述的多孔型室温磁制冷复合材料的制备方法，其特征在于，所述Gd-Ge-Si基化合物为Gd₅Ge₃、Gd₅Si₃、Gd₅Ge₄、Gd₅Si₄、GdGe、GdSi、Gd₂Si₃、Gd₂Ge₃和Gd₅(Ge_1-xSix)₄中的任意一种；所述Ni-Mn-In基化合物为Ni₅₀+xMn₂₅In_25-x，x＝0,1,2,3,4,5,6；或者为Ni₂MnGa,Ni_50-xMn₃₈+xIn₁₂，x＝4,5,6；所述MnAs基化合物为MnAs、Mn₄As₃、Mn₃As₂、Mn₂As和Mn₃As中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的多孔型室温磁制冷复合材料的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述加工的方法为滚动磨、震动磨、球磨和等离子体旋转雾化中的任意一种或两种以上；所述磁制冷材料颗粒的粒径为0.005mm-0.5mm。

6.根据权利要求1所述的多孔型室温磁制冷复合材料的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述高分子材料为聚乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸二乙酯、聚乙烯萘酸酯、聚醚砜、聚碳酸酯、酚醛树脂和环氧树脂中的任意一种或两种以上；所述高分子材料颗粒的粒径为100目-250目。

7.根据权利要求1所述的多孔型室温磁制冷复合材料的制备方法，其特征在于，步骤2中，所述挥发性材料为碳酸铵、碳酸氢铵、碳酸氢钠、碳酸氢钾、碳酸氢钙、碳酸氢钡、碳酸氢铁、碳酸氢锌和碳酸氢铜中的任意一种或两种以上。