[发明专利]可调控的介质手性纳米增强装置及系统

权利要求书

1.一种可调控的介质手性纳米增强装置，其特征在于，所述装置包括：基底、介质层、二硫化物层和复合结构层；所述介质层设置在所述基底的一侧，所述二硫化物层设置在所述介质层远离所述基底的一侧，所述复合结构层设置在所述二硫化物层远离所述基底的一侧，所述复合结构层包括多个纳米结构部，每个所述纳米结构部均包括第一纳米棒、第二纳米棒、第三纳米棒、第四纳米棒和第五纳米棒，所述第二纳米棒、所述第三纳米棒、所述第四纳米棒和所述第五纳米棒均倾斜设置在所述第一纳米棒的侧壁上，且所述第二纳米棒、所述第三纳米棒、所述第四纳米棒和所述第五纳米棒中至少一个的材料为相变材料；其中，所述第二纳米棒和所述第三纳米棒设置在所述第一纳米棒的同一侧，且所述第二纳米棒和所述第三纳米棒与所述第一纳米棒之间的夹角相同，所述第四纳米棒和所述第五纳米棒设置在所述第一纳米棒的另一侧，且所述第四纳米棒和所述第五纳米棒与所述第一纳米棒之间的夹角相同。

2.根据权利要求1所述的可调控的介质手性纳米增强装置，其特征在于，所述纳米结构部的平行于所述第一纳米棒的轴向长度为460nm-500nm，所述纳米结构部的垂直于所述第一纳米棒的轴向长度为460nm-480nm。

3.根据权利要求2所述的可调控的介质手性纳米增强装置，其特征在于，所述第二纳米棒和所述第三纳米棒同一点之间的距离为140nm-190nm。

4.根据权利要求3所述的可调控的介质手性纳米增强装置，其特征在于，所述第四纳米棒和所述第五纳米棒同一点之间的距离为140nm-190nm。

5.根据权利要求4所述的可调控的介质手性纳米增强装置，其特征在于，所述第二纳米棒的长度与所述第三纳米棒的长度不相等，所述第四纳米棒的长度与所述第五纳米棒的长度不相等。

6.根据权利要求5所述的可调控的介质手性纳米增强装置，其特征在于，所述第二纳米棒、所述第三纳米棒、所述第四纳米棒和所述第五纳米棒与所述第一纳米棒的侧壁的夹角均为45度。

7.根据权利要求6所述的可调控的介质手性纳米增强装置，其特征在于，所述二硫化物层的材料为MoS₂和/或WS₂。

8.根据权利要求7所述的可调控的介质手性纳米增强装置，其特征在于，所述基底的材料为金和/或银。

9.根据权利要求8所述的可调控的介质手性纳米增强装置，其特征在于，所述第一纳米棒的材料为高折射率材料。

10.一种可调控的介质手性纳米增强系统，其特征在于，所述系统包括：温度控制装置、手性分子溶液、光谱仪和权利要求1-9任意一项所述的可调控的介质手性纳米增强装置，所述温度控制装置设置在所述装置的复合结构层的外部，用于改变所述复合结构层的温度，所述分子溶液填充设置在所述复合结构层的缝隙中，所述光谱仪用于对所述装置的出射光的光谱进行检测。