[发明专利]基于纳米光刻的光盘读取方法、读取装置及光盘读写装置有效

专利信息
申请号: 202110772423.5 申请日: 2018-11-20
公开(公告)号: CN113380278B 公开(公告)日: 2023-03-31
发明(设计)人: 王中阳;张力;孙静;高琪 申请(专利权)人: 中国科学院上海高等研究院
主分类号: G11B7/09 分类号: G11B7/09
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 陈珊珊
地址: 201210 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 基于 纳米 光刻 光盘 读取 方法 装置 读写
【权利要求书】:

1.一种基于纳米光刻的光盘读取方法,其特征在于,包括:

形成白光光源,并将其聚焦照射于光盘物理存储介质的记录层的一信息记录点,所述记录层上数据存储位点处的沟槽刻写深度通过实心刻写光束的光束强度和作用时间来控制,所述记录层上数据存储位点处的沟槽刻写宽度通过空心刻写光束的光束强度和作用时间来控制;

收集测量光信号;所述测量光信号中包括所述信息记录点的由其各刻写沟槽的反射光场相干叠加而成的总反射光场其中,/为所述信息记录点的第i个刻写沟槽的反射光场;E0为未刻写沟槽的反射光场;m为所述信息记录点的数据存储位点的位数;“0”和“1”数码分别表示所述信息记录点的数据存储位点是否有刻写沟槽;n1(λ)为所述光盘物理存储介质的记录层的折射率,其依赖于刻写光束的波长λ;Zi为第i个刻写沟槽的深度信息,Z0=0表示未刻写的沟槽深度信息为0;

l0为所述记录层的厚度;Δn=n1-n0,n0为空气的折射率,各所述数据存储位点处以不同深度信息表示不同位数进行数据存储,也即同一数据存储位点处采用多种不同深度信息沟槽分别表征不同存储数码;

预先获得所述光盘物理存储介质的记录层上的连续刻写沟槽深度信息wk及其对应的数字存储信息sk、反射测量光谱信息refk的关联关系;

在从所述测量光信号中得到反射测量光谱信息refk′后,在所述关联关系中查找与之匹配的反射测量光谱信息refk所对应的连续刻写沟槽深度信息wk,进而将该连续刻写沟槽深度信息wk对应的所述信息记录点的数字存储信息sk读出。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:

将白光光源聚焦照射于所述光盘物理存储介质的记录层的下一信息记录点;

根据下一信息记录点的测量光信号与所述关联关系得到下一信息记录点的数字存储信息,直至读出所有信息记录点的数字存储信息。

3.一种从反射测量光谱中解码出光刻信息的方法,其特征在于,包括:

预先建立光盘物理存储介质的记录层上的连续刻写沟槽深度信息wk及其对应的数字存储信息sk、反射测量光谱信息refk的关联关系;其中,各反射测量光谱信息refk构成反射测量光谱集Ref={ref1,ref2,...,ref2m};

在获得经测量得到的一信息记录点的反射光谱信息refk′时,在所述关联关系中查找与之匹配的反射测量光谱信息refk所对应的连续刻写沟槽深度信息wk,进而将该连续刻写沟槽深度信息wk对应的数字存储信息sk作为解码得到的所述信息记录点的数字存储信息。

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