[发明专利]半导体存储器装置

说明书

公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：下堆叠结构，在基底上具有下金属线；上堆叠结构，在下堆叠结构上具有上金属线；垂直结构，穿透上堆叠结构和下堆叠结构并且包括沟道层；第一切割线，穿过上堆叠结构和下堆叠结构；上支撑件，位于第一切割线上的凹进中；第二切割线，穿过上堆叠结构和下堆叠结构并且与第一切割线间隔开；子切割线，穿过上堆叠结构，同时在竖直方向上与垂直结构至少部分地叠置，子切割线位于第一切割线与第二切割线之间，上支撑件的顶表面与子切割线的顶表面共面；以及第一层间绝缘层，围绕上支撑件和子切割线中的每个的侧壁。

于2020年8月7日在韩国知识产权局提交的且题为“半导体存储器装置”的第10-2020-0099300号韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体存储器装置。

背景技术

为了满足消费者对优异性能和低廉价格的需求，期望增加半导体装置的集成密度。在半导体装置中，由于半导体装置的集成密度是决定产品的价格的重要因素，所以特别需要增加集成密度。在二维或平面半导体装置的情况下，由于半导体装置的集成密度主要由单位存储器单元所占据的面积决定，所以半导体装置的集成密度受到精细图案形成技术的水平的极大影响。

然而，由于图案的小型化需要极高价格的设备，所以二维半导体装置的集成密度已经增加，但仍然受到限制。因此，已经提出了具有三维布置的存储器单元的三维半导体存储器装置。

发明内容

根据本公开的示例性实施例，提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：下堆叠结构，在基底上沿第一方向延伸并且包括沿竖直方向堆叠的多条下金属线；上堆叠结构，设置在下堆叠结构上并且包括至少一条上金属线；垂直结构，在竖直方向上穿透上堆叠结构和下堆叠结构并且包括沟道层；第一切割线，被构造为切割上堆叠结构和下堆叠结构；上支撑件，设置在形成在第一切割线上的凹进内部；第二切割线，被构造为切割上堆叠结构和下堆叠结构并且在第一方向上与第一切割线间隔开；子切割线，被构造为切割上堆叠结构，同时在竖直方向上与垂直结构至少部分地叠置，并且设置在第一切割线与第二切割线之间；以及第一层间绝缘层，围绕上支撑件的侧壁和子切割线的侧壁中的每个，其中，上支撑件的顶表面与子切割线的顶表面形成在同一平面上。

根据本公开的示例性实施例，提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：下堆叠结构，在基底上沿第一方向延伸并且包括沿竖直方向堆叠的下金属线；上堆叠结构，设置在下堆叠结构上并且包括至少一条上金属线；垂直结构，在竖直方向上穿透上堆叠结构和下堆叠结构并且包括沟道层；第一切割线，被构造为切割上堆叠结构和下堆叠结构；第一上支撑件，设置在第一切割线上；第二上支撑件，设置在第一切割线上并且在不同于第一方向的第二方向上与第一上支撑件间隔开；以及子切割线，被构造为切割上堆叠结构，同时在竖直方向上与垂直结构至少部分地叠置，并且在第一方向上与第一切割线间隔开，其中，第一上支撑件的顶表面与子切割线的顶表面形成在同一平面上。