[发明专利]用于擦除非易失性存储器的方法和设备

权利要求书

1.一种方法，包括：

向非易失性存储器单元施加第一电压脉冲，以执行所述非易失性存储器单元的第一擦除操作；

确定所述非易失性存储器单元的阈值电压大于测试电压；

利用值更新专用存储器位置；以及

检查所述非易失性存储器单元，以确定所述非易失性存储器单元的所述阈值电压是否小于擦除验证电压，以验证所述第一擦除操作已经被成功执行。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

确认所述第一擦除操作已经被成功执行；以及

向所述非易失性存储器单元施加第二电压脉冲，以执行所述非易失性存储器单元的第二擦除操作，所述第二电压脉冲基于所述专用存储器位置的所述值。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述专用存储器位置的所述值包括用于生成所述第二电压脉冲的操作参数。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述非易失性存储器单元包括浮栅存储器单元，所述浮栅存储器单元包括体区域和控制栅极区域，并且其中所述第一电压脉冲被施加在所述控制栅极区域和所述体区域之间。

5.根据权利要求4所述的方法，其中确定所述非易失性存储器单元的所述阈值电压大于所述测试电压包括：将所述测试电压施加到所述非易失性存储器单元的所述控制栅极区域，并且感测穿过所述非易失性存储器单元的沟道的电流特性。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

确定所述非易失性存储器单元的所述阈值电压大于所述擦除验证电压；以及

向所述非易失性存储器单元施加第二电压脉冲，以完成所述非易失性存储器单元的所述第一擦除操作，所述第二电压脉冲由所述专用存储器位置的所述值确定。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述测试电压小于所述擦除验证电压。

8.一种非易失性存储器设备，包括：

非易失性存储器单元集，所述非易失性存储器单元集中的每个非易失性存储器单元包括控制栅极区域并且被配置成：当所述非易失性存储器单元的阈值电压小于擦除验证电压时，丢失存储在所述非易失性存储器单元中的信息；

偏置电路，被配置成：在所述非易失性存储器单元的所述控制栅极区域和所述非易失性存储器单元的体区域之间向所述非易失性存储器单元集的每个非易失性存储器施加擦除电压，并且所述偏置电路被配置成：向所述非易失性存储器单元集中的每个非易失性存储器单元的所述控制栅极区域施加控制电压；

感测电路，被配置成感测所述非易失性存储器单元集中的每个非易失性存储器单元的导通特性，所述导通特性指示：所述非易失性存储器单元的所述阈值电压是否小于施加到所述非易失性存储器单元的所述控制栅极区域的所述控制电压；并且

其中控制电路与所述偏置电路和所述感测电路通信并且被配置成：

从对应于所述非易失性存储器单元集的专用存储器位置取回数据值；

通过以下方式执行擦除操作，以使所述非易失性存储器单元集中的每个非易失性存储器单元的所述阈值电压小于所述擦除验证电压：控制所述偏置电路将所述擦除电压设置为由所述数据值确定的值，并且将所述擦除电压施加到所述非易失性存储器单元集中的每个非易失性存储器单元；

通过以下方式执行测试操作，以确定所述非易失性存储器单元集中的每个非易失性存储器单元的所述阈值电压是否小于测试电压：控制所述偏置电路将所述控制电压的所述值设置为所述测试电压，并且将所述控制电压施加到所述非易失性存储器单元集中的每个非易失性存储器单元；以及

利用通过所述测试操作的结果确定的新数据值来代替所述专用存储器位置中的所述数据值。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器设备，其中所述控制电路还被配置成通过以下方式执行擦除验证操作，以确定所述非易失性存储器单元集中的每个非易失性存储器单元的所述阈值电压是否小于所述擦除验证电压：控制所述偏置电路将所述控制电压的所述值设置为所述擦除验证电压，并且将所述控制电压施加到所述非易失性存储器单元集中的每个非易失性存储器单元。