[发明专利]一种镀膜设备在审
| 申请号： | 202110771536.3 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113337819A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 唐智 | 申请（专利权）人： | 纳峰真空镀膜（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C28/04 | 分类号： | C23C28/04;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/32;C23C14/34;C23C14/56;C23C14/58;C23C16/02;C23C16/26;C23C16/54;C23C16/56 |
| 代理公司： | 上海兆丰知识产权代理事务所(有限合伙) 31241 | 代理人： | 卢艳民 |
| 地址： | 201700 上海市青浦区青*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 镀膜 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种镀膜设备，其特征在于，包括镀膜腔体，围绕镀膜腔体的外周边设置有多个法兰口，其中一个法兰口为抽气口，其余的法兰口中，每个法兰口上配置一个DLC镀膜源，所述DLC镀膜源包括但不限于Sputtering溅射源、离子源、多弧源和过滤弧源；
整个镀膜设备包含至少一个离子源、和/或Sputtering溅射源、和/或多弧源、和/或过滤弧源；
所述离子源用于离子清洗，或用于增强等离子体沉积DLC膜层，或用于氧化退膜。
2.根据权利要求1所述的一种镀膜设备，其特征在于，所述氧化退膜的膜层包括但不限于DLC等碳膜。
3.根据权利要求1所述的一种镀膜设备，其特征在于，所述离子源包括但不限于阳极层离子源、射频离子源、考夫曼离子源、霍尔离子源和高频离子源。
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