[发明专利]具有高Q值的声表面波谐振器及其制备方法

权利要求书

1.一种具有高Q值的声表面波谐振器，包括压电基片（1）、设置于所述压电基片（1）上的金属叉指电极以及设置于所述压电基片（1）上的反射栅区；其特征是：所述反射栅区包括若干设置于压电基片（1）上的栅区槽（5）以及若干形成于所述压电基片（1）上的槽间隔离柱（4），所述栅区槽（5）与槽间隔离柱（4）间交替分布，且栅区槽（5）的长度方向与槽间隔离柱（4）的长度方向相一致。

2.根据权利要求1所述的具有高Q值的声表面波谐振器，其特征是：在所述压电基片（1）上设置两个反射栅区，其中，两个反射栅区内的栅区槽（5）间相互平行，两个反射栅区与金属叉指电极相对应。

3.根据权利要求2所述的具有高Q值的声表面波谐振器，其特征是：在所述压电基片（1）上设置一个金属叉指电极，以利用所述金属叉指电极形成单端对声表面波谐振器，其中，所述金属叉指电极包括金属叉指区以及与所述金属叉指区适配电连接的叉指连接电极区，以利用所述叉指连接电极区能形成所需的的单端对第一电极、单端对第二电极；两个反射栅区分别位于金属叉指区的两侧。

4.根据权利要求2所述的具有高Q值的声表面波谐振器，其特征是：在所述压电基片（1）上设置两个金属叉指电极，以利用所述两个金属叉指电极形成双端对声表面波谐振器，其中，每个金属叉指电极均包括一金属叉指区以及与所述金属叉指区适配电连接的叉指连接电极区，利用一金属叉指区以及所述金属叉指区适配连接的叉指连接电极区能分别形成双端对内第一端对第一电极、双端对内第一端对第二电极，且利用另一金属叉指区与所述金属叉指区适配电连接的叉指连接电极区能分别形成双端对内第二端对第一电极、双端对内第二端对第二电极；

双端对内第一端对第一电极、双端对内第二端对第二电极形成双端对第一端对的开口方向与双端对内第二端对第一电极、双端对内第二端对第二电极形成双端对第二端对的开口方向相反；两个反射栅区分别位于双端对内第一端对、双端对内第二端对内。

5.根据权利要求3或4所述的具有高Q值的声表面波谐振器，其特征是：所述金属叉指区的长度方向与栅区槽（5）的长度方向相一致。

6.一种具有高Q值的声表面波谐振器的制备方法，其特征是，所述制备方法包括如下步骤：

步骤1、提供压电基片（1），并对所述压电基片（1）进行所需的清洗；

步骤2、采用深槽刻蚀工艺，在压电基片（1）上制备得到所需的反射栅区；

步骤3、在上述压电基片（1）上设置叉指电极掩膜层（6），对叉指电极掩膜层（6）图形化，以能得到所需的叉指区图形（7）；

步骤4、在上述压电基片（1）的上方进行金属层制备工艺，所述金属层覆盖在金属叉指区图形以及叉指电极掩膜层（6）上；

步骤5、去除上述叉指电极掩膜层（6）以及覆盖于所述叉指电极掩膜层（6）上的金属层，以能得到与金属叉指图形相对应的金属叉指电极，所述金属叉指电极包括金属叉指区以及与所述金属叉指区电连接的叉指连接电极区。

7.根据权利要求6所述具有高Q值的声表面波谐振器的制备方法，其特征是，步骤1中，压电基片（1）的材料包括石英，对压电基片（1）清洗时，采用湿法工艺清洗。

8.根据权利要求6或7所述具有高Q值的声表面波谐振器的制备方法，其特征是，步骤2中，具体包括如下步骤：

步骤2.1、在压电基片（1）上设置反射栅区掩膜层（2），并对所述反射栅区掩膜层（2）进行图形化，以能得到所需的反射栅区图形（3）；

步骤2.2、利用上述的反射栅区掩膜层（2）以及反射栅区图形（3）对压电基片（1）进行深槽刻蚀，以能在压电基片（1）上制备得到所需的反射栅区以及基片对位标记（11）；

步骤2.3、去除上述反射栅区掩膜层（2）。

9.根据权利要求8所述具有高Q值的声表面波谐振器的制备方法，其特征是，步骤3中，所述叉指电极掩膜层（6）为光刻胶，利用基片对位标记（11）对叉指电极掩膜层（6）进行曝光显影，以能得到叉指区图形（7）。

10.根据权利要求8所述具有高Q值的声表面波谐振器的制备方法，其特征是，步骤4中，金属制备工艺包括电子束蒸发；步骤5中，采用Lift0ff剥离液将叉指电极掩膜层（6）从压电基片（1）上剥离。