[发明专利]量测装置、量测补偿系统、量测方法及量测补偿方法

说明书

本发明涉及一种量测装置、量测补偿系统、量测方法及量测补偿方法，量测装置包括治具晶圆，治具晶圆包括：晶圆；测距传感器，设置于晶圆的正面，用于在治具晶圆置于反应腔室的晶圆吸盘上后量测治具晶圆与位于反应腔室顶部的上电极之间的距离；水平传感器，设置于晶圆的正面，水平传感器用于在治具晶圆置于晶圆吸盘上后量测晶圆吸盘的水平状况；数据传送装置，与测距传感器及水平传感器相连接，用于传送测距传感器量测的数据及水平传感器量测的数据。本申请中的量测装置避免了人工测量产生的误差，准确性较高；无需打开反应腔室即可实时地获取晶圆吸盘的水平状况，能够提升反应腔室工作的安全性和可靠性。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种量测装置、量测补偿系统、量测方法及量测补偿方法。

背景技术

随着科技的快速发展，智能手机、平板电脑等电子产品已经成为现代人生活中不可或缺的产品。这些电子产品内部包括有许多半导体芯片，而半导体芯片的主要制造材料就是晶圆。晶圆需要刻蚀出线路图案，通常采用半导体设备对晶圆进行刻蚀。以刻蚀机为例，刻蚀机可以包括反应腔室本体、上电极和晶圆吸盘，反应腔室本体开设有反应腔，上电极和晶圆吸盘位于反应腔内，晶圆放置于晶圆吸盘上，下电极为晶圆吸盘施加吸附电压，从而将晶圆吸附于晶圆吸盘上。

根据刻蚀工艺需求，精确控制晶圆吸盘与上电极之间的间距，以达到最佳的放电位置，可以更好地实现工艺的精度；同时当刻蚀机工作时，反应腔内部为等离子环境，此时晶圆容易被电离，从而使得晶圆带负电，从而容易导致晶圆吸盘的正电极区域和负电极区域与晶圆的电压差不相等，使得晶圆吸盘偏斜，导致刻蚀机的安全性和可靠性较低，因此在刻蚀过程中，还需精确控制晶圆吸盘水平。目前刻蚀过程中通常是人工使用校正治具与游标卡尺来对晶圆吸盘与上电极之间的间距进行测量，过程大致包括：将校正治具放置于反应腔室内，待反应腔室盖合后再打开，并取出校正治具，然后使用游标卡尺量测校正治具的长度。

然而，人工测量不免存在误差和失误，准确性较低；且由于人工测量需要多次开合反应腔室，因此在测量完成后需要复机，增加了机台的宕机时间，工作效率较低。

发明内容

基于此，有必要针对上述背景技术中的技术问题，提供一种无需人工测量晶圆吸盘与上电极之间间距的量测装置、量测补偿系统、量测方法及量测补偿方法。

为了实现上述目的，一方面，本发明提供了一种量测装置，所述量测装置包括治具晶圆，所述治具晶圆包括：

晶圆；

测距传感器，设置于所述晶圆的正面，用于在所述治具晶圆置于反应腔室的晶圆吸盘上后量测所述治具晶圆与位于所述反应腔室顶部的上电极之间的距离；

水平传感器，设置于所述晶圆的正面，所述水平传感器用于在所述治具晶圆置于所述晶圆吸盘上后量测所述晶圆吸盘的水平状况；

数据传送装置，与所述测距传感器及所述水平传感器相连接，用于传送所述测距传感器量测的数据及所述水平传感器量测的数据。

在其中一个实施例中，所述测距传感器的数量为多个，多个所述测距传感器于所述晶圆的正面间隔排布。

在其中一个实施例中，其中一个所述测距传感器位于所述晶圆的中心，其他所述测距传感器以所述晶圆的中心为中心点呈中心对称分布。

在其中一个实施例中，所述测距传感器包括红外测距传感器。

在其中一个实施例中，所述水平传感器的数量为多个，多个所述水平传感器于所述晶圆的正面间隔排布。

在其中一个实施例中，所述水平传感器包括双轴水平传感器。

在其中一个实施例中，所述治具晶圆还包括：