[发明专利]一种应用于LDO的自适应动态零点补偿电路有效

专利信息
申请号: 202110768317.X 申请日: 2021-07-07
公开(公告)号: CN113467559B 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 周泽坤;王世杰;李世磊;王卓;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G05F1/46 分类号: G05F1/46;G05F1/575
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 孙一峰
地址: 611731 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 ldo 自适应 动态 零点 补偿 电路
【权利要求书】:

1.一种应用于LDO的自适应动态零点补偿电路,其特征在于,包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一功率采样管、第二功率采样管、功率管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容、放大器和逻辑判断电路;

第一PMOS管的源极接输入电压,其栅极与漏极互连;第一NMOS管的漏极接第一PMOS管的漏极,第一NMOS管的栅极接放大器的输出端,第一NMOS管的源极接地;放大器的同相输入端接基准电压VREF,放大器的反相输入端接第一电阻和第二电阻的连接点;功率管的源极接输入电压,其栅极接第一PMOS管的漏极,功率管的漏极依次通过第一电阻和第二电阻后接地,功率管与第一电阻的连接点为输出端;

第一功率采样管的源极接输入电压,其栅极接第一PMOS管的漏极;第二PMOS管的源极接第一功率采样管的漏极,第二PMOS管的栅极接第五PMOS管的漏极;第三PMOS管的源极接第一功率采样管的漏极,第三PMOS管的栅极与漏极互连,第三PMOS管的漏极接输出端;第四PMOS管的源极接第一功率采样管的漏极,第四PMOS管的栅极接第五PMOS管的漏极,第四PMOS管的漏极通过第三电阻后接输出端;第二PMOS管源极与第三PMOS管源极的连接点通过第四电阻后接输出端;

第五PMOS管的源极接第一功率采样管的漏极,第五PMOS管的栅极与漏极互连;第二功率采样管的漏极接第五PMOS管的漏极,第二功率采样管的栅极接第一偏置信号,第二功率采样管的源极接地;第二NMOS管的漏极接第五PMOS管的漏极,第二NMOS管的栅极接第二偏置信号,第二NMOS管的源极接地;第三NMOS管的漏极接第二PMOS管的漏极,第三NMOS管的栅极接第二偏置信号,第三NMOS管的源极接地;

逻辑判断电路的输入端接第二PMOS管的漏极,逻辑判断电路的输出端接第四NMOS管的栅极,所述逻辑判断电路用于在第二PMOS管上的电流大于第三NMOS管上的电流时,关断第四NMOS管,或者在第二PMOS管上的电流小于第三NMOS管上的电流时,开启第四NMOS管;第四NMOS管的源极接第一电阻和第二电阻的连接点,第四NMOS管的源极还通过第一电容后接第一功率采样管的漏极,第四NMOS管的漏极通过第二电容后接第一功率采样管的漏极。

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