[发明专利]显示基板、工艺母板有效
| 申请号: | 202110765782.8 | 申请日: | 2021-07-07 | 
| 公开(公告)号: | CN113257884B | 公开(公告)日: | 2021-10-01 | 
| 发明(设计)人: | 马永达;郝学光;乔勇;吴新银 | 申请(专利权)人: | 北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 | 
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;姜春咸 | 
| 地址: | 100176 北京市北京*** | 国省代码: | 北京;11 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 工艺 母板 | ||
1.一种显示基板,包括基底,以及设于所述基底上的多个像素单元和多条驱动线;所述像素单元包括控制晶体管、驱动晶体管、存储电容、发光器件;所述驱动线包括数据线、第一栅线、电源供给线;
所述存储电容包括第一电极、第二电极;所述第一电极位于驱动晶体管的驱动有源区远离基底一侧,所述第一电极的至少部分区域与驱动有源区交叠,所述第一电极的与驱动有源区交叠的区域为驱动晶体管的栅极;
所述第二电极位于第一电极远离基底一侧;
所述驱动晶体管的第一极电连接电源供给线,第二极电连接所述发光器件;
所述控制晶体管的栅极电连接第一栅线,第一极电连接数据线,第二极电连接第一电极;
其中,
所述第一电极背离基底一侧有多个凸起,且所述第一电极包括第一中间部和第一边缘部;所述第一边缘部的凸起的分布密度,小于所述第一中间部的凸起分布密度。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其中,
所述驱动有源区背离基底一侧有多个凸起;
所述驱动有源区与第一边缘部交叠的部分的凸起的分布密度,小于所述驱动有源区与第一中间部交叠的部分的凸起的分布密度。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其中,
所述驱动有源区由多晶硅材料构成。
4.根据权利要求2所述的显示基板,其中,
所述驱动有源区包括第二中间部和第二边缘部;
所述第二边缘部的凸起的分布密度,小于所述第二中间部的凸起的分布密度。
5.根据权利要求2所述的显示基板,其中,
所述第一栅线与所述第一电极同层设置;
所述数据线位于所述第二电极远离基底一侧;
所述控制晶体管的第二极的至少部分区域与所述数据线同层设置,并通过所述第二电极中的连接过孔与第一电极连接。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其中,
所述连接过孔在基底上的正投影,位于所述第一中间部在基底上的正投影内部。
7.根据权利要求5所述的显示基板,其中,
所述连接过孔的边界具有与第一边缘部的边界交叠的过渡位,所述控制晶体管的第二极通过所述过渡位进入所述连接过孔。
8.根据权利要求5所述的显示基板,其中,
所述第二电极的连接过孔的边缘部与所述第一边缘部在过渡位重叠,所述控制晶体管的第二极通过所述过渡位进入所述连接过孔。
9.根据权利要求7或8所述的显示基板,其中,
所述控制晶体管的第二极位于所述过渡位处的部分在最靠近基底处的延伸方向与平行于基底的平面间的夹角的角度在30度至66度之间。
10.根据权利要求5所述的显示基板,其中,
在远离所述基底的方向上,所述发光器件依次包括第一驱动极片、有机发光层、第二驱动极片;
所述驱动晶体管的第二极电连接发光器件的第一驱动极片;
所述发光器件的第一驱动极片与连接过孔交叠。
11.根据权利要求5所述的显示基板,其中,在至少部分所述像素单元中,
第二电极层结构的边缘部与数据层结构有交叠;所述第二电极层结构为与所述第二电极同层设置的所有结构,所述数据层结构为与所述数据线同层设置的所有结构;
所述第二电极层结构的边缘部与数据层结构交叠的位置,不存在有源层结构;所述有源层结构为与所述驱动有源区同层设置的所有结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





