[发明专利]一种基准电压采样并存储电路及电路的控制方法在审

专利信息
申请号: 202110763897.3 申请日: 2021-07-06
公开(公告)号: CN113472332A 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 刘天罡 申请(专利权)人: 江苏帝奥微电子股份有限公司
主分类号: H03K17/24 分类号: H03K17/24
代理公司: 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 代理人: 韩迎之
地址: 226000 江苏省南通市崇*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基准 电压 采样 存储 电路 控制 方法
【说明书】:

发明公开了一种基准电压采样并存储电路及电路的控制方法,属于集成电路技术领域,包括:基准电压产生电路、电压存储电路、开关电源、以及电压比较器,其中,电压存储电路包括:第一开关、第二开关、第三开关、电容、运算放大器,通过开关的关断,实现了在采样了输入电压,进入保持阶段后,即使输入电压发生了变化,输出电压也可以保持在输入电压变化前的电压,且可以保持很长一段时间不会发生改变,降低整体能耗。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域,更具体的说是涉及一种基准电压采样并存储电路及电路的控制方法。

背景技术

目前,随着物联网及可穿戴设备的发展,消费者对产品续航时间的要求日益增加。基于这些设备多为间歇性工作,且待机时长明显长于工作时长的特点,降低整机待机功耗成为了增加续航的突破点。现有技术中,集成电路内部都有一个基准电压产生电路,用以产生一个精确、稳定的基准电压。所述的基准电压是一个模拟量,目前常用的保存模拟电压的方法是通过开关把电压传输到一个电容上然后断开开关。电容上存储的电压就是需要保存的模拟电压。

但是,由于在集成电路中,开关都是通过半导体器件实现,若开关两端存在压差,则不可避免产生漏电,使电容上的电源随时间流逝而变化。更大的电容可以减小这一趋势,但集成电路由于面积的限制无法做出较大的电容,所以在待机时,若要保持这个基准电压一直存在,则必须保持基准电压产生电路工作,这会消耗不少功耗。若要关断这个基准电压产生电路,则必须把这个基准电压保存起来。

因此,提供一种能够应用于极低功耗下的基准电压采样并存储电路及电路控制方法是本领域技术人员亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此,本发明提供了一种基准电压采样并存储电路及电路的控制方法。

为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:

一方面,一种基准电压采样并存储电路,包括:基准电压产生电路、电压存储电路、开关电源、以及电压比较器;

其中,所述基准电压产生电路的输出端对所述电压存储电路的输入端连接;所述电压存储电路的输出段与所述电压比较器的正输入端连接;所述电压比较器的负输入端与所述开关电源连接;所述电压比较器的输出端与所述基准电压产生电路、所述电压存储电路以及开关电源的控制端连接。

优选的,电压存储电路,包括:

第一开关、第二开关、第三开关、电容、运算放大器;

其中,所述第一开关与所述第二开关串联连接所述运算放大器的正输入端,所述第一开关的一端连接电源输入,所述第一开关另一端连接所述第三开关至所述运算放大器负输入端,所述电容的一端与所述运算放大器的输入端连接,所述电容的另一端接地,所述运算放大器的输出端与所述运算放大器的负输入连接。

优选的,所述第一开关、所述第二开关以及所述第三开关的型号为N型MOS管,和/或P型MOS管。

优选的,所述运算放大器的输入端为所述第二开关的MOS管栅极。

另一方面,一种基准电压采样并存储电路的控制方法,包括:

S10:通过所述基准电压产生电路输出一个恒定的基准电压;

S20:通过所述开关电源产生一个反馈电压;

S30:通过所述电压比较器比较所述基准电压与所述反馈电压的大小;

S40:若所述反馈电压小于所述基准电压,则所述电压比较器输出一个高电平信号;

S50:所述电压存储电路根据所述高电平信号,闭合所述第一开关以及所述第二开关并同时断开所述第三开关,对所述基准电压进行采样。

优选的,通过所述电压比较器比较所述基准电压与所述反馈电压的大小还包括:

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