[发明专利]一种异质结电池及其制备方法

权利要求书

1.一种异质结电池的制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底层；

对所述半导体衬底层的正面和背面进行腐蚀处理，以使得至少所述半导体衬底层的背面呈光面；

对所述半导体衬底层的正面和背面进行腐蚀处理之后，进行扩散退火处理，以在部分厚度的所述半导体衬底层两侧分别形成第一掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层的表面位于所述半导体衬底层的正面，所述第二掺杂层的表面位于所述半导体衬底层的背面，所述扩散退火处理适于将所述半导体衬底层内部的杂质迁移至所述第一掺杂层和所述第二掺杂层中；

进行扩散退火处理之后，在所述半导体衬底层的背面形成保护层，所述保护层覆盖第二掺杂层；进行扩散退火处理之后，去除所述第一掺杂层；

去除所述第一掺杂层之后，以所述保护层为掩膜，在所述半导体衬底层的正面进行制绒处理，所述半导体衬底层的正面呈减反射绒面；

在所述半导体衬底层的正面进行制绒处理之后，去除所述保护层，去除所述第二掺杂层；

去除所述保护层和第二掺杂层之后，在所述半导体衬底层的正面一侧形成第一掺杂半导体层，在所述半导体衬底层的背面一侧形成第二掺杂半导体层；

其中，所述第二掺杂半导体层的导电类型和所述第一掺杂半导体层的导电类型相反。

2.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，所述腐蚀处理采用碱液，所述碱液包括KOH溶液，KOH的质量百分比浓度为8%-12%,温度为75℃-80℃。

3.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，

所述保护层的材料包括氮化硅。

4.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，

所述保护层的厚度为75纳米-120纳米。

5.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，所述扩散退火处理在扩散炉管中进行，所述扩散退火处理采用的气源为含磷气源；所述第一掺杂层和所述第二掺杂层中含有磷离子。

6.根据权利要求5所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，

所述含磷气源包括O₂和POCl₃。

7.根据权利要求5所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，

所述扩散退火处理采用的温度为600℃-1200℃；所述扩散退火处理采用的时间为10min-120min。

8.根据权利要求7所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，

所述扩散退火处理采用的温度为800℃-900℃。

9.根据权利要求6所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，

所述扩散退火处理采用的O₂流量为400sccm-1000sccm。

10.根据权利要求6所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，

所述扩散退火处理采用的POCl₃流量为400sccm-1000sccm。

11.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂层的导电类型与进行所述扩散退火处理之前所述半导体衬底层的导电类型相同；所述第二掺杂层的导电类型与进行所述扩散退火处理之前所述半导体衬底层的导电类型相同。

12.根据权利要求11所述的异质结电池的制备方法，其特征在于，

在进行所述扩散退火处理之前，所述半导体衬底层的导电类型为N型，所述第一掺杂层的导电类型为N型，所述第二掺杂层的导电类型为N型。