[发明专利]用于等离子体刻蚀机的边缘环

说明书

一种用于等离子体刻蚀机的边缘环可包括环形底部部分及环形顶部部分，环形底部部分具有开口，开口的大小适于接纳用于支撑半导体装置的静电吸盘，环形顶部部分成一体地连接到环形底部部分的第一顶部。边缘环可包括环形倒角部分，环形倒角部分成一体地连接到环形底部部分的第二顶部且成一体地连接到环形顶部部分的一侧。环形倒角部分可包括从开口沿径向向外倾斜小于九十度的内表面。

技术领域

本发明的实施例涉及一种用于等离子体刻蚀机的边缘环。

背景技术

等离子体刻蚀机(plasma etcher)或刻蚀工具是用于生产半导体装置的工具。等离子体刻蚀机使用高频电场从工艺气体(例如，含氧气体、含氟气体和/或类似气体)生成等离子体。

发明内容

本发明的一些实施例提供一种用于等离子体刻蚀机的边缘环，其特征在于，所述边缘环包括：环形底部部分，具有开口，所述开口的大小适于接纳用于支撑半导体装置的静电吸盘；环形顶部部分，成一体地连接到所述环形底部部分的第一顶部；以及环形倒角部分，成一体地连接到所述环形底部部分的第二顶部且成一体地连接到所述环形顶部部分的一侧，其中所述环形倒角部分包括从所述开口沿径向向外倾斜小于九十度的内表面。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A到图1D是本文中所述的等离子体刻蚀机及用于等离子体刻蚀机的边缘环的示例性实施方案的图。

图2是使用本文中所述的等离子体刻蚀机及边缘环产生的半导体装置的一部分的示例性实施方案的图。

图3A到图3E是与本文中所述的等离子体刻蚀机及边缘环相关联的示例性特征的图。

图4是图1A到图1D所示等离子体刻蚀机的示例性组件的图。

图5是用于产生具有等离子体刻蚀机以及具有倒角几何形状及阻抗设计的边缘环的半导体装置的示例性过程的流程图。

具体实施方式

以下公开提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本公开。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。举例来说，以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征从而使得所述第一特征与所述第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可能在各种实例中重复使用参考编号和/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。

此外，为易于说明，本文中可能使用例如“在…之下(beneath)”、“在…下方(below)”、“下部的(lower)”、“在…上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。设备可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)，且本文中所使用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。

在一些例子中，等离子体刻蚀机可实行等离子体刻蚀以制作半导体装置。等离子体刻蚀涉及以脉冲形式向半导体装置提供适当的气体混合物的高速辉光放电流(streamof glow discharge)(例如，等离子体)。被称为刻蚀物种(etch species)的等离子体源可为带电的(例如，离子)或中性的(例如，原子及自由基)。在等离子体刻蚀期间，等离子体从将被刻蚀的材料的元素与等离子体产生的反应种类物之间的化学反应产生易失性刻蚀产物。最终，等离子体的原子将自身嵌入目标(例如，半导体装置)的表面处或正下方，从而改变目标的物理性质。