[发明专利]量子点发光器件的制备方法

说明书

本发明提供一种量子点发光器件的制备方法。在制备量子点发光器件时，将电子传输层进行紫外‑臭氧工艺处理。完成后，继续在电子传输层上制备量子点发光层。并将配制的配体溶液涂覆在该量子点发光层上，使配体溶液与该量子点发光层充分反应并进行干燥。干燥处理完成后，继续在量子点发光层上制备空穴传输层和空穴注入层，并在该空穴注入层上制备第二电极层。通过本发明中提供的制备方法制备得到的器件，能有效的减少载流电子的猝灭，并提高器件的发光效果。

技术领域

本发明涉及显示面板制造领域，特别是涉及一种量子点发光器件的制备方法。

背景技术

随着显示面板制造技术的不断提高，人们对发光器件的制备工艺以及性能均提出了更高的要求，以便获得到最佳性能的发光显示装置。

自发光量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes，QLEDs)因其具有色纯度高、对比度高、广视角、能耗低、轻薄、可弯曲等优点有望成为新一代显示技术主流。其中，倒置型QLEDs器件相较于正置型OLED器件具有更好的水氧耐受性，因此，倒置型OLED的寿命也更高。但是，现有技术在制备倒置型OLED器件时还存在一定的技术问题：由于现在的发光层多为复合无机纳米晶，在制备过程中，为了保证发光层的溶解性和稳定性，常常需要在纳米晶的表面使用配体。而现有技术中通常只采用的长链的配体，从而使得配体的体积较大，并且还会增大量子点粒子之间的间距，进而影响发光层在发光时载流子的传输，同时，长链的配体还会进一步阻碍载流子的注入，最终使得发光器件的发光效果及使用寿命不理想。

综上所述，现有制备技术中，在制备倒置型量子点发光器件时，所选用的配体的种类较少，并且制备形成的配体还会影响载流子的传输，最终导致器件发光效果及使用寿命不理想等问题。

发明内容

本发明提供一种量子点发光器件的制备方法，以改善倒置型量子点发光器件发光效果不理想的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供的技术方法如下：

本发明的第一方面，提供了一种量子点发光层的制备方法，包括如下步骤：

提供衬底基板，并在所述衬底基板上制备第一电极层；

在所述第一电极层上制备电子传输层，并对所述电子传输层进行紫外-臭氧处理；

在所述电子传输层上制备量子点发光层，并对所述量子点发光层干燥。

根据本发明一实施例，所述电子传输层在进行紫外-臭氧工艺处理时，通过紫外线进行照射，且所述紫外线的波长在185nm～254nm之间，且所述紫外-臭氧处理时，臭氧气体中还包括氧气或N₂O中的至少一种。

根据本发明一实施例，所述紫外线由紫外灯产生，且所述紫外线灯的功率在10W～10KW之间。

根据本发明一实施例，在室温下对所述电子传输层进行照射，且所述紫外线照射的时间在1min～30min之间。

根据本发明一实施例，还包括如下步骤：所述电子传输层制备完成后，在70℃～90℃的温度下对所述电子传输层进行干燥。

根据本发明一实施例，所述电子传输层干燥完成后，将所述电子传输层转移至处理腔室中进行所述紫外-臭氧工艺处理，其中，所述电子传输层开始转移至所述电子传输层在所述处理腔室处理完成的总时间小于35min。

根据本发明一实施例，所述电子传输层制备完成后，还包括如下步骤：

将配体溶液涂覆在所述量子点发光层上，并对所述量子点发光层干燥处理。

根据本发明一实施例，在制备所述配体溶液时，还包括如下步骤：

将金属与卤族气体进行反应；