[发明专利]一种薄膜体声波谐振器的封装方法

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器的封装方法，所封装的薄膜体声波谐振器，包括衬底和压电振荡堆；压电振荡堆包括第一电极、压电层和第二电极；衬底上设有第一空腔；第一电极位于衬底上，并覆盖第一空腔；压电层覆盖第一电极及衬底；第二电极位于压电层上；其特征在于：该方法具体步骤如下：

步骤一：在薄膜体声波谐振器的第二电极部分表面上用低压化学气相沉积工艺淀积封装牺牲层，并采用等离子体或湿法腐蚀的方法进行图形化；

步骤二：在封装牺牲层表面以及封装牺牲层周围的压电层和第二电极的部分表面上用等离子体化学气相沉积淀积介质层，并采用等离子体或湿法腐蚀的方法进行图形化；所述的介质层覆盖封装牺牲层表面；

步骤三：在压电层表面采用等离子体或湿法腐蚀的方法图形化出两个通孔，且与压电层表面淀积有介质层的一侧靠近的通孔底部开口到第一电极上表面；

步骤四：与压电层表面淀积有介质层的一侧靠近的通孔内以及该通孔外沿的压电层表面上用热蒸发、磁控溅射或电镀方法沉积金属PAD层一，在另一个通孔内以及该通孔外沿的压电层表面上、第二电极的其余表面上和介质层的部分表面上用热蒸发、磁控溅射或电镀方法沉积金属PAD层二；所述的金属PAD层一与金属PAD层二不接触；然后，采用湿法腐蚀或金属剥离工艺对金属PAD层一和金属PAD层二进行图形化；

步骤五：通过湿法腐蚀的方式去除封装牺牲层，形成第二空腔；

步骤六：分别在金属PAD层一和金属PAD层二的部分表面焊接金属引线；

步骤七：通过注塑的方式在执行步骤六后的结构外封装芯片封装外壳；封装芯片封装外壳后，除金属PAD层一和金属PAD层二表面的金属引线上表面与芯片封装外壳上表面平齐外，执行步骤六后的其余结构均被封装在芯片封装外壳内；

步骤八：在金属PAD层一和金属PAD层二表面的金属引线上表面均焊接触点。

2.根据权利要求1所述一种薄膜体声波谐振器的封装方法，其特征在于：所封装薄膜体声波谐振器的第一空腔内谐振器牺牲层先不去除，而是在步骤五中与封装牺牲层一起通过湿法腐蚀的方式去除，形成第一空腔和第二空腔。

3.根据权利要求1或2所述一种薄膜体声波谐振器的封装方法，其特征在于：所述封装牺牲层的材料为氧化硅、氮化硅、有机物、磷硅酸盐玻璃或掺杂氧化硅；所述封装牺牲层的厚度为1-3μm，横向宽度为200μm-2000μm。

4.根据权利要求1或2所述一种薄膜体声波谐振器的封装方法，其特征在于：所述介质层的材料为氮化硅、氮化铝、氧化铝中的一种或多种任意组合；所述介质层的厚度为1-2μm；所述介质层的横向宽度为200μm-2000μm，且大于第一空腔的横向宽度。

5.根据权利要求1或2所述一种薄膜体声波谐振器的封装方法，其特征在于：在通孔形成后先用湿法腐蚀的方式将通孔内壁变粗糙。

6.根据权利要求1或2所述一种薄膜体声波谐振器的封装方法，其特征在于：所述金属PAD层一和金属PAD层二的材料为钼、金、铂、铜、铝、银、钛、钨、镍中的一种或多种任意组合，厚度为0.5-3μm；所述金属PAD层一与金属PAD层二的间隔为30-200μm。

7.根据权利要求1或2所述一种薄膜体声波谐振器的封装方法，其特征在于：所述第二空腔的横向宽度大于第一空腔。

8.根据权利要求1或2所述一种薄膜体声波谐振器的封装方法，其特征在于：所述金属引线的材料为金、铂、铜、铝、银、钛、钨、镍中的一种或多种任意组合，长度为200-2000μm。

9.根据权利要求1或2所述一种薄膜体声波谐振器的封装方法，其特征在于：所述芯片封装外壳的材料为塑料、玻璃或陶瓷。

10.根据权利要求1或2所述一种薄膜体声波谐振器的封装方法，其特征在于：所述触点的材料为钼、金、铂、铜、铝、银、钛、钨、镍中的一种或多种任意组合。