[发明专利]采用改进工艺制备单晶薄膜体声波谐振器及滤波器的方法

权利要求书

1.采用改进工艺制备单晶薄膜体声波谐振器的方法，其特征在于：具体步骤如下：

S1对衬底和基底均使用丙酮和异丙醇进行超声水洗；然后在衬底的一侧表面淀积待键合层一；

S2在基底的一侧表面沉积压电层；

S3在压电层表面沉积金属，并图形化，作为第一电极；

S4按以下三种方案中的一种操作：

第一种方案

S4.1.1在第一电极表面采用等离子体化学气相淀积工艺淀积多晶硅或非晶硅，并图形化，作为牺牲层；

S4.1.2在压电层、牺牲层和第一电极表面上采用低压化学气相淀积工艺淀积氧化硅薄膜作为待键合层二，并采用化学机械研磨的方式使待键合层二表面平整；

第二种方案

S4.2.1在第一电极表面采用等离子体化学气相淀积工艺淀积二氧化硅或掺杂二氧化碳，并图形化，作为牺牲层；

S4.2.2按以下两种方案中的一种操作：

①在压电层、牺牲层和第一电极表面用低压化学气相淀积工艺淀积耐氢氟酸或氟化氢气体腐蚀的薄膜，并图形化化，包裹住图形化的二氧化硅或掺杂二氧化碳；然后沉积氧化硅薄膜作为待键合层二，并采用化学机械研磨的方式对待键合层二进行抛光，使待键合层二表面平整；

②在压电层、牺牲层和第一电极表面用低压化学气相淀积工艺淀积多晶硅作为待键合层二，并采用化学机械研磨的方式对待键合层二进行抛光，使待键合层二表面平整；

第三种方案

S4.3.1在第一电极表面通过薄膜淀积技术交替沉积高声阻抗率反射层和低声阻抗率反射层，并图形化，形成布拉格反射层；

S4.3.2在压电层、布拉格反射层和第一电极表面用低压化学气相淀积工艺淀积氧化硅薄膜，作为待键合层二；然后通过化学机械研磨的方式对待键合层二和布拉格反射层表面进行抛光使待键合层二表面平整；

S5将含待键合层一的衬底与含待键合层二的基底贴合，并通过键合工艺连接，使得待键合层一与待键合层二以及牺牲层形成致密的界面；其中，待键合层一与待键合层二直接键合或者在两者表面沉积金属，使用金属键合；

S6采用研磨和化学机械抛光的方式减薄基底；

S7采用刻蚀工艺去除减薄后的基底；

S8在压电层表面采用热蒸发或磁控溅射的方法沉积金属，并图形化，形成第二电极；第二电极包含间距设置的电极部分一和电极部分二；

S9按以下两种方案中的一种操作：

S4采用第一种或第二种方案时，执行如下步骤：

S9.1.1采用等离子刻蚀或湿法腐蚀工艺在压电层表面形成通孔一和通孔二；通孔一为第一电极金属PAD填充孔；通孔二为牺牲层释放孔；

S9.1.2在压电层表面、通孔一中及电极部分一表面采用热蒸发或磁控溅射的方法沉积金属，并通过金属剥离工艺的方法图形化，形成金属PAD部分一，金属PAD部分一不与电极部分二连接；在压电层表面和电极部分二表面采用热蒸发或磁控溅射的方法沉积金属，并通过金属剥离工艺的方法图形化，形成金属PAD部分二；

S9.1.3通过湿法腐蚀工艺或干法腐蚀工艺利用通孔二去除牺牲层，形成空腔一；

S4采用第三种方案时，执行如下步骤：

S9.2.1采用等离子刻蚀或湿法腐蚀工艺在压电层表面形成通孔一；通孔一为第一电极金属PAD填充孔；

S9.2.2在压电层表面、通孔一中及电极部分一表面采用热蒸发或磁控溅射的方法沉积金属，并通过金属剥离工艺的方法图形化，形成金属PAD部分一，金属PAD部分一不与电极部分二连接；在压电层表面和电极部分二表面采用热蒸发或磁控溅射的方法沉积金属，并通过金属剥离工艺的方法图形化，形成金属PAD部分二。

2.根据权利要1所述采用改进工艺制备单晶薄膜体声波谐振器的方法，其特征在于：所述衬底和基底的材料为玻璃、硅、碳化硅、氮化硅或陶瓷中的一种或多种按任意配比组合。

3.根据权利要1所述采用改进工艺制备单晶薄膜体声波谐振器的方法，其特征在于：所述压电层的材料为单晶氮化铝、多晶氮化铝、氧化锌、单晶钽酸锂、锆钛酸铅、铌酸锂中的一种或多种按任意配比组合，厚度为10nm-4000nm。