[发明专利]直流高压发生装置在审
申请号: | 202110752518.0 | 申请日: | 2021-07-02 |
公开(公告)号: | CN113629993A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 张欣;吕启深;詹威鹏;张林;廖姗姗 | 申请(专利权)人: | 深圳供电局有限公司 |
主分类号: | H02M3/06 | 分类号: | H02M3/06;H02M3/08;H02M3/335;H02M7/04 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 纪婷婧 |
地址: | 518001 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 直流 高压 发生 装置 | ||
1.一种直流高压发生装置,其特征在于,包括:
整流单元,用于提供初始直流信号;
高频逆变单元,与所述整流单元连接,用于根据所述直流信号生成第一交流信号;
高频变压单元,与所述高频逆变单元连接,用于将所述第一交流信号转化为第二交流信号,所述第二交流信号的电压值大于所述第一交流信号的电压值;
直流倍压单元,与所述高频变压单元连接,用于根据所述第二交流信号生成预设电压值的直流高压。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述整流单元包括:
工频电源,用于提供工频交流信号;
整流电路,与所述工频电源连接,用于将所述工频交流信号整流成第一直流信号;
滤波电路,与所述整流电路连接,用于根据所述第一直流信号获取初始直流信号,所述初始直流信号的纹波低于所述第一直流信号的纹波。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述滤波电路包括:
平波电感和滤波电容,所述平波电感和所述滤波电容串联连接于所述整流电路的两个输出端之间。
4.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述整流电路包括:
第一二极管,所述第一二极管的正极与所述工频电源的正极连接;
第二二极管,所述第二二极管的负极与所述第一二极管的正极连接;
第三二极管,所述第三二极管的正极与所述工频电源的负极连接,负极与所述第一二极管的负极连接;
第四二极管,所述第四二极管的正极与所述第二二极管的正极连接,负极与所述第三二极管的正极连接;
其中,所述第一二极管的负极和所述第三二极管的负极之间的节点作为所述整流电路的一个输出端,所述第二二极管的正极与所述第四二极管的正极作为所述整流电路的另一个输出端。
5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述整流单元包括两个输出端,所述高频变压单元包括两个输入端,所述高频逆变单元包括:
第一晶体管,所述第一晶体管的集电极与所述整流单元的第一输出端连接,发射极与高频变压单元的第一输入端连接,门极用于接收第一控制信号,所述第一控制信号用于控制各所述第一晶体管的通断;
第二晶体管,所述第二晶体管的集电极与所述第一晶体管的发射极连接,发射极与所述整流单元的第二输出端连接,门极用于接收第二控制信号,所述第二控制信号用于控制各所述第二晶体管的通断;
第三晶体管,所述第三晶体管的集电极与所述第一晶体管的集电极连接,发射极与所述高频变压单元的第二输入端连接,门极用于接收第三控制信号,所述第三控制信号用于控制各所述第三晶体管的通断;
第四晶体管,所述第四晶体管的集电极与所述第三晶体管的发射极连接,发射极与所述第二晶体管的发射极连接,门极用于接收第四控制信号,所述第四控制信号用于控制各所述第四晶体管的通断。
6.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述直流倍压单元包括:级联的n个倍压电路,第一级所述倍压电路的输入端与所述高频变压单元输出端连接,第m级所述倍压电路的输入端与第m-1级所述倍压电路的输出端对应连接,第n级所述倍压电路用于输出所述直流高压,其中,1<m≤n,所述m和n均为正整数。
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