[发明专利]半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一基底；

一第一绝缘层，位在该基底中；

一第一处理后流动层，位在该第一绝缘层与该基底之间；

一第二绝缘层，位在该基底中；以及

一第二处理后流动层，位在该第二绝缘层与该基底之间；

其中该第一绝缘层的一宽度是较大于该第二绝缘层的一宽度，以及该第一绝缘层的一深度是较小于该第二绝缘层的一深度。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一绝缘层的一深宽比是介于大约1：4到大约1：8之间，以及该第二绝缘层的一深宽比是介于大约1：6到大约1：12之间。

3.如权利要求2所述的半导体元件，还包括一第一粘着层以及一第二粘着层，该第一粘着层位在该第一绝缘层与该第一处理后流动层之间，该第二粘着层位在该第二绝缘层与该第二处理后流动层之间。

4.如权利要求3所述的半导体元件，还包括多个第一调整层，位在该第一绝缘层与该第一处理后流动层之间，并位在该第一处理后流动层的各侧壁上，其中所述第一调整层的宽度是从上到下逐渐缩减。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中所述第一调整层的各上表面是大致与该第一绝缘层的一上表面为共面，以及该第一调整层的一深度是小于或等于该第一绝缘层的该深度的一半。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其中所述第一调整层是由下列材料所制：氧化铝、氧化铪、氧化锆、氧化钛、氮化钛、氮化钨、氮化硅或氧化硅。

7.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第一绝缘层的各侧壁呈锥形。

8.如权利要求7所述的半导体元件，其中在该第一绝缘层的各侧壁与该第一绝缘层的一上表面之间的一角度，是介于80度到大约90度之间。

9.一种半导体元件的制备方法，包括：

提供一基底；

形成一第一沟槽以及一第二沟槽在该基底中；

共形形成一流动层在该基底的一上表面上以及在该第一沟槽与该第二沟槽中；

执行一热制程以转变该流动层成为一加工后流动层；

形成一层绝缘材料在该加工后流动层上，以完全填满该第一沟槽与该第二沟槽；以及

执行一平坦化制程以转变该层绝缘材料成为一第一绝缘层在该第一沟槽中以及成为一第二绝缘层在该第二沟槽中，以及转变该加工后流动层成为一第一处理后流动层在该第一沟槽中以及成为一第二处理后流动层在该第二沟槽中；

其中该第一沟槽与该第二沟槽具有不同深宽比。

10.如权利要求9所述的半导体元件的制备方法，还包括一步骤：共形形成一层粘着材料在该基底的该上表面以及在该第一沟槽与该第二沟槽中，其是在形成该流动层在该基底的该上表面上以及在该第一沟槽与该第二沟槽中得该步骤之前执行，其中该流动层是形成在该层粘着材料上。

11.如权利要求10所述的半导体元件的制备方法，其中该流动层包括多个化合物，所述化合物具有不饱和键结。

12.如权利要求10所述的半导体元件的制备方法，其中该加工后流动层包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氧化氮化硅。

13.如权利要求12所述的半导体元件的制备方法，其中该层粘着材料包含氧化硅。

14.如权利要求13所述的半导体元件的制备方法，其中该流动层是从多个流动前驱物所形成，且所述流动前驱物是为硅烷、二硅烷、三硅烷、六硅烷、环六硅烷、甲基硅烷、三乙氧基硅烷或双-第三丁胺硅烷。

15.如权利要求14所述的半导体元件的制备方法，其中所述流动前驱物是与一氧化剂混合，以形成该流动层，而该氧化剂是为过氧化物、臭氧、氧或水气。