[发明专利]一种p-AlGaN外延基底的深紫外LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种p-AlGaN外延基底的深紫外LED芯片，其包括LED外延片和设置在所述LED外延片上的n电极(203)和p电极(208)，其特征在于，所述LED外延片的最上层为p-AlGaN层(206)且部分所述p-AlGaN层(206)上设置有p型欧姆接触层(207)，所述p型欧姆接触层(207)由氧化锡薄膜制成且所述p电极(208)设置在所述p型欧姆接触层(207)上。

2.根据权利要求1所述的p-AlGaN外延基底的深紫外LED芯片，其特征在于，所述LED外延片从上到下依次包括p-AlGaN层(206)、量子发光层(204)、n型半导体层(202)和衬底(201)且所述n电极(203)设置在所述n型半导体层(202)上。

3.根据权利要求2所述的p-AlGaN外延基底的深紫外LED芯片，其特征在于，所述p电极(208)包括粘附层和高反射层，所述粘附层由金属Cr或Ti制成，所述高反射层由金属Al、Ag或Rh制成。

4.一种p-AlGaN外延基底的深紫外LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、提供最上层为p-AlGaN层(206)的LED外延片并在所述LED外延片上沉积n电极(203)；

(2)、在部分所述p-AlGaN层(206)上制作p电极图形；

(3)、在所述p电极图形上沉积Sn金属层(211)；

(4)、对所述Sn金属层(211)进行氧化处理使其成为氧化锡薄膜；

(5)、对所述氧化锡薄膜进行退火处理，使其成为p型欧姆接触层(207)；

(6)、在所述p型欧姆接触层(207)上沉积p电极(208)。

5.根据权利要求4所述的p-AlGaN外延基底的深紫外LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)具体为：将沉积有所述Sn金属层(211)的所述LED外延片整体放置在化学气相沉积炉或退火炉内，在250-400℃温度条件下，纯O₂氛围下对所述Sn金属层(211)进行氧化处理，处理时间为0.5-1.5小时。

6.根据权利要求5所述的p-AlGaN外延基底的深紫外LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中的退火处理为高温退火处理，其退火温度为500～700℃，退火时间为150-200s。

7.根据权利要求6所述的p-AlGaN外延基底的深紫外LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中进行氧化处理时，温度为250℃，处理时间为1小时。

8.根据权利要求7所述的p-AlGaN外延基底的深紫外LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中的退火温度为500℃，退火时间为180s。

9.根据权利要求8所述的p-AlGaN外延基底的深紫外LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)具体为：通过金属蒸镀或磁控溅射的方式在所述p电极图形上沉积厚度为200nm的所述Sn金属层(211)。

10.根据权利要求4-9中任一项所述的p-AlGaN外延基底的深紫外LED芯片的制备方法，其特征在于，进一步包括步骤(7)：在整个所述LED外延片上沉积钝化层(209)。