[发明专利]含氮半导体元件在审
| 申请号： | 202110745714.5 | 申请日： | 2017-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN113451468A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 方信乔;吕政学;林政宏;郑季豪;黄吉豊 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 中国台湾台南市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
1.一种含氮半导体元件，包括：
一基板；
一第一氮化铝镓缓冲层，设置于该基板上，该第一氮化铝镓缓冲层的材料包括氮化铝镓基础的(AlGaN based)半导体材料；
一氮化镓缓冲层，设置于该第一氮化铝镓缓冲层上；以及
一第二氮化铝镓缓冲层，设置于该氮化镓缓冲层上，该第二氮化铝镓缓冲层的材料包括氮化铝镓基础的(AlGaN based)半导体材料，且该第一氮化铝镓缓冲层掺杂有浓度超过5×1017cm-3氧与浓度超过5×1017cm-3碳的二者至少其中之一；
一半导体堆叠层，设置于该第二氮化铝镓缓冲层上。
2.如权利要求1所述的含氮半导体元件，其特征在于，当该基板的材料为蓝宝石、碳化硅或硅时，且该基板连接该第一氮化铝镓缓冲层的表面为一平滑表面。
3.如权利要求1所述的含氮半导体元件，其特征在于，该第一氮化铝镓缓冲层的厚度落在1纳米至100纳米的范围。
4.如权利要求1所述的含氮半导体元件，其特征在于，该氮化镓缓冲层的厚度落在100纳米至10微米的范围。
5.如权利要求1所述的含氮半导体元件，其特征在于，该第二氮化铝镓缓冲层的厚度落在0.5纳米至20纳米的范围。
6.如权利要求1所述的含氮半导体元件，其特征在于，更包括一第三氮化铝镓缓冲层，而该第三氮化铝镓缓冲层的的材料包括氮化铝镓基础的(AlGaN based)半导体材料，该第三氮化铝镓缓冲层设置于该第一氮化铝镓缓冲层以及该氮化镓缓冲层之间，且该第一氮化铝镓缓冲层中的铝浓度高于该第三氮化铝镓缓冲层中的铝浓度。
7.如权利要求6所述的含氮半导体元件，其特征在于，该第三氮化铝镓缓冲层的厚度落在10纳米至5微米的范围。
8.如权利要求6所述的含氮半导体元件，其特征在于，该第三氮化铝镓缓冲层中的铝浓度具有相同浓度分布。
9.如权利要求6所述的含氮半导体元件，其特征在于，该第三氮化铝镓缓冲层中的铝浓度自连接该第一氮化铝镓缓冲层的一侧往连接该氮化镓缓冲层的一侧减少。
10.如权利要求6所述的含氮半导体元件，其特征在于，连接该第三氮化铝镓缓冲层的该氮化镓缓冲层的厚度落在10纳米至5微米的范围。
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