[发明专利]一种低压MOSFET实现的耐高压LDO线性电源

权利要求书

1.一种低压MOSFET实现的耐高压LDO线性电源，其特征在于，包括电源电压转换模块、低压多级增益提高模块、高压驱动模块、功率提供模块和电压钳位模块，其中：

电源电压转换模块，用于将外部电源电压转换成低于MOSFET耐压界限的输出电压为低压多级增益提高模块提供工作电压，以及输出中间电平作为功率提供模块的控制电压；

低压多级增益提高模块，用于输出高增益的电压至高压驱动模块、以及接收电压钳位模块的反馈信号；

高压驱动模块，用于将输入的电压转换为电流，再将电流转换为高电压作为控制信号输出至功率提供模块；

功率提供模块，与电源输出端连接，用于根据高压驱动模块的控制信号和电源电压转换模块的控制电压，控制电源输出端的通断；

电压钳位模块，与功率提供模块的输出端和低压多级增益提高模块的反馈输入端连接，用于在功率提供模块中抽取取样电压并反馈至低压多级增益提高模块；

所述电源电压转换模块包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M4，MOS管M1的漏极串联电阻R2和电阻R1后连接外部电源，MOS管M1的栅极串联电阻R5后连接MOS管M4的栅极；MOS管M1的源极与接地之间连接有用于调整输出电压的第一输出电压控制电路；MOS管M2的漏极串联电阻R4和电阻R3后连接外部电源，MOS管M2的栅极串联电阻R6后连接MOS管M3的栅极，MOS管M2的源极连接与第一输出电压控制电路匹配的第二输出电压控制电路，第二输出电压控制电路连接MOS管M1的源极；MOS管M3的漏极连接外部电源，MOS管M3的栅极连接功率提供模块，用于输出中间电平作为功率提供模块的控制电压；MOS管M3的源极连接MOS管M4的漏极；MOS管M4的源极连接低压多级增益提高模块，为低压多级增益提高模块提供工作电压；MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M4的栅极与接地之间连接滤波电容；所述MOS管M4的源极与接地之间连接电压保持单元，所述电压保持单元由并联的电阻R7和电容C5构成。

2.根据权利要求1所述的一种低压MOSFET实现的耐高压LDO线性电源，其特征在于，所述第一输出电压控制电路、第二输出电压控制电路均由一个二极管或串联的多个二极管构成，第二输出电压控制电路的二极管数量与第一输出电压控制电路的二极管数量匹配，使MOS管的电压低于MOSFET耐压界限。

3.根据权利要求1或2所述的一种低压MOSFET实现的耐高压LDO线性电源，其特征在于，所述低压多级增益提高模块采用增强型运放模块，采用差分输出提供高增益。