[发明专利]一种三相低电压补偿装置在审
| 申请号： | 202110744118.5 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113300374A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张谋龙 | 申请（专利权）人： | 三尔梯（泉州）电气制造有限公司 |
| 主分类号： | H02J3/12 | 分类号： | H02J3/12 |
| 代理公司： | 泉州智尚果知识产权代理事务所(普通合伙) 35274 | 代理人： | 伍云萍 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三相 电压 补偿 装置 | ||
1.一种三相低电压补偿装置，其特征在于：包括复数个串联连接的三相电压补偿器T，各组所述三相补偿器T均包括初级绕组T1、初级绕组T2、初级绕组T3、初级绕组TN以及次级绕组。
2.根据权利要求1所述的一种三相低电压补偿装置，其特征在于：还包括双向可控硅SCR1、双向可控硅SCR2、双向可控硅SCR3、双向可控硅SCR4、双向可控硅SCR5以及双向可控硅SCR6，所述初级绕组T1连接双向可控硅SCR1和双向可控硅SCR2的一端，所述初级绕组T2连接双向可控硅SCR3和双向可控硅SCR4的一端,所述初级绕组T3连接双向可控硅SCR5和双向可控硅SCR6的一端，所述双向可控硅SCR2、双向可控硅SCR4以及双向可控硅SCR6的另一端均连接于初级绕组TN。
3.根据权利要求2所述的一种三相低电压补偿装置，其特征在于：还包括三相控制保护装置QF，所述双向可控硅SCR1、双向可控硅SCR3以及双向可控硅SCR5的另一端分别连接于三相控制保护装置QF的一端，所述三相控制保护装置QF的另一端连接于三相电压输出端。
4.根据权利要求3所述的一种三相低电压补偿装置，其特征在于：还包括抑制器BA1、抑制器BA2以及抑制器BA3，所述抑制器BA1连接于初级绕组T1和初级绕组TN之间，所述抑制器BA2连接于初级绕组T2和初级绕组TN之间，所述抑制器BA3连接于初级绕组T3和初级绕组TN之间。
5.根据权利要求4所述的一种三相低电压补偿装置，其特征在于：所述初级绕组TN连接于输入N线。
6.根据权利要求1所述的一种三相低电压补偿装置，其特征在于：还包括操作系统、主控系统、驱动系统，所述三相输入电压、电流和三相输出电压、电流和各组三相补偿器T均连接于主控系统，所述操作系统以及驱动系统均连接于主控系统，所述操作系统为可触屏操作界面，所述主控系统通过驱动系统控制三相补偿器T工作。
7.根据权利要求1所述的一种三相低电压补偿装置，其特征在于：还包括至少由单台三相补偿器T组成的三相低电压补偿装置。
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