[发明专利]一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，包括具有栅齿结构和梁膜结构的硅应变膜、压敏电阻、重掺杂接触区、金属引线和玻璃底座，所述硅应变膜为硅衬底的正面经过刻蚀和背面经过背腔腐蚀工艺后形成的具有正面梁膜、背腔结构的硅膜，所述栅齿结构位于硅应变膜的正面非梁膜区域内，所述压敏电阻位于栅齿结构的端部，所述金属引线和重掺杂接触区在硅应变膜的正面形成欧姆接触，所述玻璃底座为与硅应变膜背面进行键合的打孔玻璃。

2.根据权利要求1所述的一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，所述硅衬底为N型100晶面的SOI硅片或N型硅晶圆。

3.根据权利要求1所述的一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，所述梁膜结构为十字形，且位于硅应变膜的中心区域。

4.根据权利要求3所述的一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，所述梁膜结构包括十字梁，且所述梁膜结构由所述十字梁与圆形凸台或正方形凸台组成。

5.根据权利要求1所述的一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，所述栅齿结构由横向和/或纵向等间距设置的岛状梁块构成。

6.根据权利要求5所述的一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，所述栅齿结构为直条形状或线性渐变形状。

7.一种权利要求1-6任意一项所述的MEMS压阻式压力传感器的制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：

S1、在硅衬底正面制作相互连接的压敏电阻和重掺杂接触区；

S2、在所述硅衬底正面制作引线孔和金属引线；

S3、在所述硅衬底的正面通过光刻刻蚀制作梁膜结构；

S4、在所述硅衬底的正面非十字梁区域光刻刻蚀制作栅齿结构；

S5、在所述硅衬底的背面进行背腔刻蚀，直至合适的厚度停止，制成具有栅齿结构的硅应变膜；

S6、将所述S5得到的具有栅齿结构的硅应变膜与带孔或不带开孔的玻璃键合，划片，获得栅齿结构的MEMS压阻式压力传感器。

8.根据权利要求要求7所述的一种MEMS压阻式压力传感器的制备方法，其特征在于，所述S1中是通过离子注入的方式制作压敏电阻和重掺杂接触区。

9.根据权利要求要求7所述的一种MEMS压阻式压力传感器的制备方法，其特征在于，所述S3中，所述金属引线选为Al、Cr/Au、Ti/Au材料中的至少一种。