[发明专利]一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110742876.3 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113483925A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 武斌;许克宇 | 申请（专利权）人： | 深圳市美思先端电子有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22;G01L9/04;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人： | 廉红果 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区公明街道塘家社区观*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 压阻式 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，包括具有线性渐变梁膜结构的硅应变膜、压敏电阻、重掺杂接触区域，金属引线，所述硅应变膜为硅衬底的正面经过腐蚀工艺并键合硅片层所形成的，所述压敏电阻位于梁膜结构的端部，所述金属引线和重掺杂接触区在硅应变梁膜的正面形成欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，所述硅衬底为N型100晶面硅片。
3.根据权利要求2所述的一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，所述线性渐变梁膜结构为线性渐变十字形，且位于所述硅应变膜的中心区域。
4.根据权利要求3所述的一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，所述线性渐变梁膜结构包括线性渐变十字梁，且所述梁膜结构由所述线性渐变十字梁与圆形凸台或正方形凸台组成。
5.根据权利要求4所述的一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，所述压敏电阻至少设置有四组且对称的设置在所述线性渐变梁膜结构的端部。
6.根据权利要求5所述的一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，每组所述压敏电阻包括若干个压敏电阻条。
7.一种权利要求1-6任意一项所述的MEMS压阻式压力传感器的制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：
S1、在硅片(1)的正面进行刻蚀形成空腔(2)，并键合硅衬底且将所述硅衬底减薄至合适的厚度；
S2、在所述硅衬底的正面制作相互连接的压敏电阻(4)和重掺杂接触区(5)；
S3、在所述硅衬底正面制作引线孔(6)和金属引线(7)；
S4、在所述硅衬底的正面通过光刻刻蚀制作线性渐变梁膜结构(8)，得到具有线性渐变梁膜结构的硅应变膜(3)；
S5、将S4得到的具有线性渐变梁膜结构的硅应变膜(3)进行划片封装，获得线性渐变梁结构的MEMS压阻式压力传感器。
8.根据权利要求要求7所述的一种MEMS压阻式压力传感器的制备方法，其特征在于，所述S2中是通过离子注入的方式制作压敏电阻和重掺杂接触区。
9.根据权利要求要求7所述的一种MEMS压阻式压力传感器的制备方法，其特征在于，所述S3中，所述金属引线选为Al、Cr/Au、Ti/Au材料中的至少一种。
10.根据权利要求要求7所述的一种MEMS压阻式压力传感器的制备方法，其特征在于，所述S4的具体方法为：在所述硅衬底的正面通过光刻定义十字梁形状，再刻蚀制作十字梁结构，得到具有线性渐变梁膜结构的硅应变膜。
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