[发明专利]高倍率外延生长GaN的氧化物气相外延法装置

权利要求书

1.一种高倍率外延生长GaN的氧化物气相外延法装置，其特征在于：包括生长区、源区、活性碳网或还原铁网、气源和加热装置，还包括：

保温层：所述保温层位于整个反应容器的外部；保温层内壁均匀缠绕着加热电阻丝，内壁在两个正对源区和生长区的地方设有两个温度传感器，内壁电阻丝通过外接电源达到加热源区和生长区的目的；两个温度传感器监测两区的温度将其控制在合适的温度范围内；

两个分别位于源区和生长区之间、生长区之后的压力控制阀：当源区和生长区内的气压增大到2个大气压时，压力控制阀将会打开，使反应所需气体通入源区和生长区，而反应产生的少量废气则排出装置，所述废气包括Ga₂O、H₂O、H₂、N₂和NH₃；两个控制阀保证源区和生长区的气压稳定在2个大气压，有利于加速反应的进行，同时也避免了装置气压过大发生危险；

涡电流加热装置：所述涡电流加热装置安装在生长区的内底部，GaN晶圆制成的基底安装在涡电流加热板上；通过外接涡电流使涡电流极板产生涡流发热维持GaN基底的温度在1250℃；

所述活性碳网或还原铁网安装在生长区内靠近连接源区和生长区的压力控制阀的地方，达到降低通入生长区GaN基底处的水分压的目的。

2.根据权利要求1所述的高倍率外延生长GaN的氧化物气相外延法装置，其特征在于：所述保温层用于包裹整个反应容器外围的石英管，并外接电源和温度控制回路。

3.根据权利要求1或2所述的高倍率外延生长GaN的氧化物气相外延法装置，其特征在于：所述位于源区和生长区之间的压力控制阀安装在连接生长区和源区之间的通道上用于控制源区压力；所述位于生长区之后的压力控制阀用于控制生长区压力。

4.根据权利要求1或2所述的高倍率外延生长GaN的氧化物气相外延法装置，其特征在于：所述涡电流加热装置安装在生长区内底部，用于加热GaN基底。

5.根据权利要求3所述的高倍率外延生长GaN的氧化物气相外延法装置，其特征在于：所述涡电流加热装置安装在生长区内底部，用于加热GaN基底。

6.根据权利要求1或2或5所述的高倍率外延生长GaN的氧化物气相外延法装置，其特征在于：所述活性碳网或还原铁网安装在生长区内靠近源区和生长区之间的压力控制阀的地方，用于降低生长区的水分压。