[发明专利]存储器设备及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器设备，包括：

存储器单元阵列，包括多个存储器单元；

电压生成器，被配置为生成用于所述存储器单元的编程操作和验证操作的电压；以及

控制逻辑，被配置为在向所述存储器单元阵列写入数据的同时执行多个编程循环，使得执行包括编程操作和验证操作的第一编程循环至第N编程循环，并且当所述第N编程循环的编程操作的通过/失败确定指示通过时，执行其中跳过验证操作的至少两个编程循环，

其中，N是等于或大于1的整数。

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述至少两个编程循环包括：

第(N+1)编程循环，包括使用正常编程电压对所述存储器单元当中的第一存储器单元的正常编程操作，以及使用强制编程电压对所述存储器单元中的第二存储器单元的强制编程操作；以及

第(N+2)编程循环，包括使用强制编程电压的、对所述第一存储器单元的强制编程操作。

3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中，所述控制逻辑被配置为：控制所述电压生成器生成用于所述第一编程循环至第N编程循环中的编程操作和验证操作的电压，并且

控制所述电压生成器选择性地生成在所述至少两个编程循环中的编程操作中使用的电压。

4.根据权利要求2所述的存储器设备，其中，所述验证操作包括：用于基于第一阈值电压确定粗略导通单元和粗略截止单元的操作，以及用于基于第二阈值电压确定精细导通单元和精细截止单元的操作，并且

所述第二阈值电压大于所述第一阈值电压。

5.根据权利要求4所述的存储器设备，其中，具有低于所述第一阈值电压的阈值电压电平的存储器单元对应于所述第一存储器单元，并且具有大于所述第一阈值电压且小于所述第二阈值电压的阈值电压电平的存储器单元对应于所述第二存储器单元。

6.根据权利要求4所述的存储器设备，其中，通过对具有低于所述第一阈值电压的阈值电压电平的存储器单元的数量或具有低于所述第二阈值电压的阈值电压电平的存储器单元的数量进行计数来执行所述通过/失败确定。

7.根据权利要求1所述的存储器设备，还包括页面缓冲器，所述页面缓冲器通过多条位线连接到所述存储器单元阵列，

其中，所述页面缓冲器接收通过位线从所述存储器单元阵列读取的、与所述第一编程循环至第N编程循环中的验证操作相关的数据，并且

在所述至少两个编程循环中，跳过通过位线向所述页面缓冲器提供数据的操作。

8.一种操作存储器设备的方法，所述方法包括：

执行包括编程操作和验证操作的第N编程循环，其中，N是等于或大于1的整数；

通过对具有低于预定阈值电压的阈值电压电平的存储器设备的存储器单元的数量进行计数来确定所述编程操作是通过还是失败；

当确定所述编程操作是通过时，执行第(N+1)编程循环，所述第(N+1)编程循环包括使用正常编程电压对所述存储器单元当中的第一存储器单元的正常编程操作，以及使用强制编程电压对所述存储器单元当中的第二存储器单元的强制编程操作；以及

执行第(N+2)编程循环，所述第(N+2)编程循环包括使用强制编程电压对所述第一存储器单元的强制编程操作，

其中，在所述第(N+1)编程循环和所述第(N+2)编程循环的每一个中跳过验证操作。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述第N编程循环中执行的验证操作包括：用于基于第一阈值电压确定粗略导通单元和粗略截止单元的操作，以及用于基于第二阈值电压确定精细导通单元和精细截止单元的操作，并且

所述第二阈值电压大于所述第一阈值电压。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，具有低于所述第一阈值电压的阈值电压电平的存储器单元对应于所述第一存储器单元，并且具有大于所述第一阈值电压且小于所述第二阈值电压的阈值电压电平的存储器单元对应于所述第二存储器单元。