[发明专利]一种低电压补偿装置在审
| 申请号： | 202110741384.2 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113346505A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 张谋龙 | 申请（专利权）人： | 三尔梯（泉州）电气制造有限公司 |
| 主分类号： | H02J3/12 | 分类号： | H02J3/12 |
| 代理公司： | 泉州智尚果知识产权代理事务所(普通合伙) 35274 | 代理人： | 伍云萍 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电压 补偿 装置 | ||
1.一种低电压补偿装置，其特征在于：包括复数个串联连接的3N补偿器T，各个所述3N补偿器T均是由3台单相补偿器T组成的三相电压补偿器，各组所述3N补偿器T均包括初级绕组3NA1、初级绕组3NA2、初级绕组3NB1、初级绕组3NB2、初级绕组3NC1、初级绕组3NC2以及次级绕组。
2.根据权利要求1所述的一种低电压补偿装置，其特征在于：还包括双向可控硅VTA1、双向可控硅VTA2、双向可控硅VTB1、双向可控硅VTB2、双向可控硅VTC1以及双向可控硅VTC2，所述初级绕组3NA1连接双向可控硅VTA1的一端，所述初级绕组3NA2连接有双向可控硅VTA2的一端，所述初级绕组3NB1连接双向可控硅VTB1的一端,所述初级绕组3NB2连接双向可控硅VTB2的一端，所述初级绕组3NC1连接双向可控硅VTC1的一端,所述初级绕组3NC2连接双向可控硅VTC2的一端，所述双向可控硅VTA2的另一端连接于初级绕组3NA1，所述双向可控硅VTB2的另一端连接于初级绕组3NB1，所述双向可控硅VTC2的另一端连接于初级绕组3NC1。
3.根据权利要求2所述的一种低电压补偿装置，其特征在于：还包括控制保护开关QF1、控制保护开关QF2、控制保护开关QF3，所述控制保护开关QF1的两端分别连接于双向可控硅VTA1的另一端和A相输出端，所述控制保护开关QF2的两端分别连接于双向可控硅VTB1的另一端和B相输出端，所述控制保护开关QF3的两端分别连接于双向可控硅VTC1的另一端和C相输出端。
4.根据权利要求3所述的一种低电压补偿装置，其特征在于：所述初级绕组3NA1和初级绕组3NA2之间连接有抑制器HFA，所述初级绕组3NB1和所述初级绕组3NB2之间连接有抑制器HFB，所述初级绕组3NC1和所述初级绕组3NC2之间连接有抑制器HFC。
5.根据权利要求4所述的一种低电压补偿装置，其特征在于：所述初级绕组3NA2、初级绕组3NB2、初级绕组3NC2均连接输入N线。
6.根据权利要求1所述的一种低电压补偿装置，其特征在于：还包括操作系统、主控系统、驱动系统，所述三相输入电压、电流和三相输出电压、电流和各组3N补偿器T均连接于主控系统，所述操作系统以及驱动系统均连接于主控系统，所述操作系统为可触屏操作界面，所述主控系统通过驱动系统控制3N补偿器T工作。
7.根据权利要求1所述的一种低电压补偿装置，其特征在于：还包括至少由单台单相补偿器组成的低电压补偿装置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三尔梯（泉州）电气制造有限公司，未经三尔梯（泉州）电气制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110741384.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种通过收缩或者张开形成不同形状的灯
- 下一篇：一种动态报价择优方法及装置
