[发明专利]一种Ce3+

权利要求书

1.一种Ce³⁺基卤化物电致发光器件，其特征在于，自上而下依次包括顶电极、空穴传输层、发光层、电子传输层和底电极；

所述发光层采用的材料为Ce³⁺基卤化物发光材料，所述Ce³⁺基卤化物发光材料的结构通式为A_mCe_nX_k，其中A为Na、K、Rb、Cs中的一种或多种，X为Cl、Br、I中的一种或多种，且m+3n＝k。

2.如权利要求1所述的Ce³⁺基卤化物电致发光器件，其特征在于，所述发光层采用Cs₃CeBr₆材料。

3.如权利要求1所述的Ce³⁺基卤化物电致发光器件，其特征在于，所述发光层采用双源共蒸真空热蒸发法制备。

4.如权利要求3所述的Ce³⁺基卤化物电致发光器件，其特征在于，所用蒸发源为CsBr和CeBr₃。

5.如权利要求1所述的Ce³⁺基卤化物电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层采用2，3，6，7，10，11-六氰基-1，4，5，8，9，12-六氮杂苯并菲(HAT-CN)和4，4′-环己基二[N，N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)制得。

6.如权利要求1所述的Ce³⁺基卤化物电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层采用氧化锌(ZnO)和氮化硅(Si₃N₄)制得。

7.如权利要求1-6任意一项所述的Ce³⁺基卤化物电致发光器件，其特征在于，所述顶电极为Al电极。

8.如权利要求1-6任意一项所述的Ce³⁺基卤化物电致发光器件，其特征在于，所述底电极为ITO电极。