[发明专利]利用晶体硅对太阳能电池光接收表面进行钝化

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

具有光接收表面的硅基板；

设置在所述硅基板的所述光接收表面上的钝化氧化物层的钝化介电层；

设置在所述钝化介电层上的本征硅层，该本征硅层的厚度在1纳米至5纳米的范围；以及

设置在所述本征硅层上的N型硅层，所述N型硅层的厚度在1纳米至20纳米的范围内，其中所述本征硅层和所述N型硅层二者是微晶或多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述N型硅层是包含嵌入非晶硅矩阵中且不具有长程有序的颗粒的N型微晶或多晶硅层。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中所述N型微晶或多晶硅层中的N型掺杂物的浓度在1E17至1E20个原子/cm³的范围内。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中所述钝化介电层是厚度在10埃至200埃的范围内的二氧化硅(SiO₂)层。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，还包括：

设置在所述N型硅层上的抗反射涂层(ARC)。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述光接收表面具有纹理化形貌，并且其中所述本征硅层和所述N型硅层二者均与所述光接收表面的所述纹理化形貌共形。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述基板还包括与所述光接收表面相背对的背表面，所述太阳能电池还包括：

在所述基板的所述背表面处或上方的多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域；以及

与所述多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域电连接的导电触点结构。

8.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中所述抗反射涂层包括氮化硅。

9.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：

在硅基板(100)的光接收表面(102)上方形成本征硅层(110)；以及

在所述本征硅层(110)上形成N型硅层(112)，其中所述本征硅层(110)和所述N型硅层(112)中的一者或二者是微晶或多晶硅层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述N型硅层(112)是N型微晶或多晶硅层，以及形成所述N型微晶或多晶硅层包括：沉积N型非晶硅层；随后将所述N型非晶硅层相转换为所述N型微晶或多晶硅层。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述N型硅层(112)是N型微晶或多晶硅层，以及形成所述N型微晶或多晶硅层包括：沉积所述N型微晶或多晶硅层。

12.根据权利要求9所述的方法，还包括：在所述N型硅层上形成抗反射涂层(ARC)。

13.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在所述基板的与所述光接收表面相背对的背表面处或上方形成多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域；以及

形成与所述多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域电连接的导电触点结构。