[发明专利]一种场效应晶体管电流均衡装置

说明书

本发明公开了一种场效应晶体管电流均衡装置。所述装置包括：电源供应单元；多个并联的场效应晶体管均与供电单元连接；多个电流计算单元，电流计算单元与场效应晶体管一一对应连接，每一电流计算单元均构造用于检测流经对应场效应晶体管的电流值；均流计算单元，配置为根据多个电流计算单元的检测的电流值计算多个场效应晶体管的电流均值并输出；电流调整单元，电流调整单元的输入端与均流计算单元的输出端连接，电流调整单元具有多个与场效应晶体管一一对应的输出端，电流调整单元的每一输出端均配置为将流经对应场效应晶体管的电流调整至电流均值。本发明的装置避免各MOSFET流经的电流值不均衡导致某些MOSFET流经的电流过大，降低了MOSFET损坏的风险。

技术领域

本发明涉及场效应晶体管驱动技术领域，尤其涉及一种场效应晶体管电流均衡装置。

背景技术

目前科技日新月异，电器用品已经是生活中不可或缺的必需品，然而由于科技如此大幅进步，所需的产品功能日益增加，造成许多产品用电规格比早期更加大幅提升，因而在未来发展中势必会有更多大电流产品需求发展。在大电流之热插入设计下，不外乎需要使用更多MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效晶体管，简称场效应晶体管)以分散其电流，并且达到电流均衡，得以使每颗MOSFET使用耗能及温度平均分配，进而分散各组件上累积之能量，并且使组件能在安全规范下运转，降低因过电流或者组件温度过高而造成元器件在长时间运转中损坏之情况。因此，如何达到将整体电路中所有使用之MOSFET实现精确均流，将会是提升此产品稳定度以及安全性的一种实现方式。

请结合图1所示，图1示出了传统服务器采用多路并联的MOSFET分散大电流热插入设计，由于使用简单之MOSFET设计在输出后端并没有电流侦测之功能，因此无法确保在大电流情况下是否会均流通过。此外，在实际应用时受到空间和设计要求，MOSFET与电源供应单元(Power supply unit，简称PSU)连接时并不能保证多个MOSFET都能够完全对称，不对称的布局设计会造成流经各个MOSFET的电流有高有低，当较高的电流长时间通过某颗MOSFET会造成电流过大以及温度上升之风险，长时间运转之下还可能导致MOSFET的使用寿命降低或者有超额使用之损坏。

发明内容

有鉴于此，有必要针对以上技术问题，提供能够准确调整流经场效应晶体管电流一种场效应晶体管电流均衡装置。

一种场效应晶体管电流均衡装置，所述装置包括：

电源供应单元；

多路并联的场效应晶体管，每一场效应晶体管均与所述供电单元连接；

多个电流计算单元，电流计算单元与场效应晶体管一一对应连接，每一电流计算单元均构造用于检测流经对应场效应晶体管的电流值；

均流计算单元，所述均流计算单元的输入端与所述多个电流计算单元连接，并配置为根据多个电流计算单元的检测的电流值计算多个场效应晶体管的电流均值并输出；

电流调整单元，所述电流调整单元的输入端与所述均流计算单元的输出端连接，所述电流调整单元具有多个与场效应晶体管一一对应的输出端，电流调整单元的每一输出端连接至对应的场效应晶体管，电流调整单元的每一输出端均配置为将流经对应场效应晶体管的电流调整至所述电流均值。

在一些实施例中，每一电流计算单元均包括微欧姆计、第一电压计和第一控制器；

所述微欧姆计与对应场效应晶体管并联，并配置为测量对应场效应晶体管的电阻值；

所述第一电压计与对应场效应晶体管并联，并配置为测量对应场效应晶体管的电压值；

所述微欧姆计和所述第一电压计均与所述控制器连接，所述第一控制器配置为基于对应场效应晶体管的电阻值和对应场效应晶体管的电压值计算流经对应场效应晶体管的第一电流值。