[发明专利]一种具有寄生辐射抑制功能的低副瓣天线阵列

权利要求书

1.一种具有寄生辐射抑制功能的低副瓣天线阵列，为多层垂直排布结构，其特征在于包括：

电磁带隙结构，包括金属板，以及位于金属板下表面的周期性分布的金属柱；

平面微带天线阵列，位于电磁带隙结构的下方；所述平面微带天线阵列与电磁带隙结构间留有空气间隙；

其中：

所述的平面微带天线阵列包括k个微带天线阵列、第一金属面、介质板、第二金属面；其中k≥2；

所述的第一金属面位于介质板的上表面，且与电磁带隙结构的金属柱间留有空气间隙；

所述的第一金属面开槽，且槽内放置微带馈电网络，且电磁带隙结构完整覆盖微带馈电网络；所述的微带馈电网络与第一金属面间留有间隙；其中第一金属面位于开槽两侧部分设有周期性分布的金属化通孔；该金属化通孔贯穿介质板，连接第一金属面、第二金属面；

所述的微带馈电网络拥有一个信号输入端，k个信号输出端；上述k个信号输出端分别与对应的微带天线阵列的信号输入端连接；整个微带馈电网络位于第一金属面开槽内，且微带天线阵列位于第一金属面外侧；

所述的第二金属面位于介质板的下表面，且与介质板形状尺寸相同。

2.根据权利要求1所述的一种具有寄生辐射抑制功能的低副瓣天线阵列，其特征在于所述的每个微带天线阵列为串馈微带天线阵列，由n个贴片单元组成，贴片单元数量根据增益要求设置；k个微带天线阵列等间距设置，且与第一金属面处于同一平面。

3.根据权利要求1所述的一种具有寄生辐射抑制功能的低副瓣天线阵列，其特征在于金属板与第一金属面的形状尺寸可相同或不同。

4.根据权利要求1所述的一种具有寄生辐射抑制功能的低副瓣天线阵列，其特征在于第一金属面、微带天线阵列均位于介质板的上表面，微带天线阵列所在介质板部分宽度小于等于第一金属面所在介质板部分宽度。

5.根据权利要求1所述的一种具有寄生辐射抑制功能的低副瓣天线阵列，其特征在于k个微带天线阵列的宽度小于微带天线阵列所在介质板部分的宽度。

6.根据权利要求1所述的一种具有寄生辐射抑制功能的低副瓣天线阵列，其特征在于空气间隙高度hg满足hgλ₀/4；λ₀为微带天线的中心工作频率所对应的波长。

7.根据权利要求1所述的一种具有寄生辐射抑制功能的低副瓣天线阵列，其特征在于微带天线阵列上贴片单元采用不等间隔设置；微带天线阵列呈中心对称设置。

8.根据权利要求1所述的一种具有寄生辐射抑制功能的低副瓣天线阵列，其特征在于微带天线阵列的信号输入端通过一阻抗变换单元与微带馈电网络的信号输出端连接。

9.根据权利要求1所述的一种具有寄生辐射抑制功能的低副瓣天线阵列，其特征在于相邻两金属柱的间距p小于λ₀/2，金属柱高度d应小于工作带宽的最低频率所对应波长的四分之一。

10.根据权利要求1所述的一种具有寄生辐射抑制功能的低副瓣天线阵列，其特征在于电磁带隙结构尺寸大于等于微带馈电网络尺寸。