[发明专利]阵列基板及液晶显示面板在审

专利信息
申请号: 202110736389.6 申请日: 2021-06-30
公开(公告)号: CN113504681A 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 谢玲慧;康报虹 申请(专利权)人: 惠科股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 高星
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阵列 液晶显示 面板
【说明书】:

本申请适用于液晶显示技术领域,提出了一种阵列基板及液晶显示面板,阵列基板包括透明基板;位于所述透明基板上的扫描线;与所述扫描线交叉以形成像素区域的数据线;位于所述扫描线和所述数据线交叉处的薄膜晶体管;像素电极,与相应的薄膜晶体管相连接;及公共电极,所述公共电极与所述像素电极共同形成电场;绝缘膜层,设于所述像素电极与所述公共电极之间,所述绝缘膜层具有主体区域和厚度不同于所述主体区域的调整区域,所述调整区域对应所述阵列基板边缘的多个像素区域,所述主体区域对应所述阵列基板的其余像素区域。上述阵列基板及液晶显示面板能够解决显示亮度不均的问题。

技术领域

本申请属于显示设备技术领域,尤其涉及一种阵列基板及液晶显示面板。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点,在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。根据驱动液晶的电场方向,TFT-LCD分为垂直电场型和水平电场型。而垂直电场型包括扭转向列(TN)TFT-LCD,水平电场型包括边缘场效应(FFS)TFT-LCD、共平面场效应(IPS)TFT-LCD。其中,IPS型或FFS型TFT-LCD具有宽视角、高开口率等优点,在液晶显示领域得到了广泛的应用。

目前,在TFT-LCD的阵列基板中,通常将公共电极整面连通,具体为在横向上每行像素的公共电极全部直连,纵向上通过桥接方式将上下两行像素的公共电极连通,这样将整面像素的公共电极可以全部连通;其中,桥接方式包括隔两个像素桥接一次、隔一个像素桥接一次以及全部桥接这三种。

然而,由于公共电极信号在输入时存在波动,使阵列基板边缘像素的公共电极电压不稳定,公共电极与像素电极的压差与面内的其他像素不同,进而导致边缘像素与其他像素的亮度不均,影响了显示品质。

发明内容

有鉴于此,本申请提供了一种阵列基板及液晶显示面板,以解决显示亮度不均的问题。

本申请第一方面的实施例提出了一种阵列基板,包括:

透明基板;

位于所述透明基板上的扫描线;

与所述扫描线交叉以形成像素区域的数据线;

位于所述扫描线和所述数据线交叉处的薄膜晶体管;

像素电极,与相应的所述薄膜晶体管相连接;及

公共电极,所述公共电极与所述像素电极共同形成电场;

绝缘膜层,设于所述像素电极与所述公共电极之间,所述绝缘膜层具有主体区域和厚度不同于所述主体区域的调整区域,所述调整区域对应所述阵列基板边缘的多个像素区域,所述主体区域对应所述阵列基板的其余像素区域。

上述阵列基板中,由于像素电极与公共电极之间的绝缘膜层具有调整区域,调整区域与透明基板边缘的多个像素区域(边缘像素区域)对应设置,且调整区域与主体区域的厚度不同,进而边缘像素区域内公共电极和像素电极之间的距离不同于其他像素区域,可调整边缘像素区域的电场强度,使边缘像素区域与其他像素区域的亮度一致,解决了边缘像素显示异常、阵列基板显示亮度不均的问题,提升了显示品质。

在一实施例中,所述绝缘膜层的调整区域的厚度大于所述主体区域的厚度。

通过设置调整区域的厚度大于主体区域的厚度,可以使边缘像素区域的电容小于其余像素区域内的电容,以减小边缘像素区域的电场强度,进而减小边缘像素区域的亮度,使边缘像素区域与面内其余像素区域的亮度一致。

在一实施例中,所述薄膜晶体管包括连接到所述扫描线的栅极、连接到所述数据线的源极、与所述源极相对地形成的漏极以及半导体层;

所述绝缘膜层为覆盖于所述薄膜晶体管上方的平坦层,且所述公共电极设于所述平坦层背离所述透明基板的一侧,所述像素电极与所述源极和漏极位于同层。

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