[发明专利]电源输出保护方法及电路有效

专利信息
申请号: 202110733431.9 申请日: 2021-06-30
公开(公告)号: CN113258538B 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: 陈伟 申请(专利权)人: 深圳英集芯科技股份有限公司
主分类号: H02H7/125 分类号: H02H7/125;H02H3/08;H02H1/00
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 熊永强
地址: 518000 广东省深圳市南山区西丽街道西丽社区打石一*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电源 输出 保护 方法 电路
【权利要求书】:

1.一种电源输出保护方法,其特征在于,应用于电源输出保护电路,所述电源输出保护电路包括电源、控制开关、电流检测电阻、控制芯片和输出端口,所述电流检测电阻设置在电源输出回路上,所述控制芯片的第一输入端和第二输入端分别连接所述控制开关的两端,所述控制芯片的第三输入端和第四输入端分别连接所述电流检测电阻的两端,所述控制芯片的第一输出端连接所述电源的控制端,所述控制芯片的第二输出端连接所述控制开关的控制端;

所述方法包括:

所述控制芯片检测第一电压和第二电压,所述第一电压为所述控制开关两端的电压,所述第二电压为所述电流检测电阻两端的电压;

所述控制芯片根据所述第一电压和所述第二电压控制所述电源的输出电压、以及所述控制开关的闭合或断开;

其中,所述控制开关为MOS晶体管,所述控制芯片包括输出控制电路;所述控制芯片根据所述第一电压和所述第二电压控制所述电源的输出电压、以及所述控制开关的闭合或断开,包括:

所述输出控制电路检查所述MOS晶体管是否处于导通状态;

若所述MOS晶体管处于导通状态,所述输出控制电路判断第一比值是否小于第一预设值,所述第一比值为所述第一电压与所述第二电压的比值;

若所述MOS晶体管处于截止状态,所述输出控制电路判断所述第一电压是否小于第二预设值;

若所述第一比值小于所述第一预设值或所述第一电压小于所述第二预设值,所述输出控制电路启动第一计时器;

所述输出控制电路判断所述第一计时器的值是否大于或等于第一值;

若所述第一计时器的值大于或等于所述第一值,所述输出控制电路确定所述MOS晶体管短路,若所述第一计时器的值小于所述第一值,所述输出控制电路初始化所述第一计时器;

若所述第一比值大于或等于所述第一预设值,所述输出控制电路判断所述第一比值是否大于第三预设值;

若所述第一比值大于所述第三预设值,所述输出控制电路启动第二计时器;

所述输出控制电路判断所述第二计时器的值是否大于或等于所述第一值;

若所述第二计时器的值大于或等于所述第一值,所述输出控制电路确定所述电流检测电阻短路,若所述第二计时器的值小于所述第一值,所述输出控制电路初始化所述第二计时器;

在所述MOS晶体管和/或所述电流检测电阻短路时,所述控制芯片控制所述控制开关在第一时间内处于闭合状态或断开状态、控制所述电源在所述第一时间内输出第一电压值。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述电流检测电阻设置在电源输出回路上具体包括:

所述电源输出回路包括所述电源的输出端按顺序通过所述控制开关、所述输出端口和所述电流检测电阻接地。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述电流检测电阻设置在电源输出回路上具体包括:

所述电源输出回路包括所述电源的输出端按顺序通过所述电流检测电阻、所述控制开关、和所述输出端口接地。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述电流检测电阻设置在电源输出回路上具体包括:

所述电源输出回路包括所述电源的输出端按顺序通过所述控制开关、所述电流检测电阻、和所述输出端口接地。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述控制芯片还包括第一放大电路、第二放大电路、第一模数转换电路和第二模数转换电路;

所述第一放大电路的第一输入端连接所述控制芯片的第一输入端,所述第一放大电路的第二输入端连接所述控制芯片的第二输入端,所述第一放大电路的输出端连接所述第一模数转换电路的输入端,所述第一模数转换电路的输出端连接所述输出控制电路的第一输入端;

所述第二放大电路的第一输入端连接所述控制芯片的第三输入端,所述第二放大电路的第二输入端连接所述控制芯片的第四输入端,所述第二放大电路的输出端连接所述第二模数转换电路的输入端,所述第二模数转换电路的输出端连接所述输出控制电路的第二输入端;

所述输出控制电路第一输出端连接所述控制芯片的第一输出端,所述输出控制电路第二输出端连接所述控制芯片的第二输出端。

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