[发明专利]一种改变中置阴极背景磁场的磁路结构有效
| 申请号： | 202110733039.4 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113374662B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 李鸿;曾德迈;丁永杰;魏立秋;于达仁 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | F03H1/00 | 分类号： | F03H1/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 岳昕 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改变 阴极 背景 磁场 磁路 结构 | ||
1.一种改变中置阴极背景磁场的磁路结构，其特征在于包括：原始磁路、中置附加磁路和阴极(8)，所述阴极(8)置于中心，所述中置附加磁路包括中置线圈架(9)和中置线圈(10)，所述中置线圈架(9)和中置线圈(10)为环形结构，所述中置线圈(10)设置在中置线圈架(9)内，
所述原始磁路包括底板(7)以及设置在底板(7)沿着远离中心轴线方向依次设置的内磁芯(2)、内线圈(11)、内磁屏(3)、外磁屏(4)、外线圈(12)和外磁壳(6)，所述内磁芯(2)和内线圈(11)上设有内磁极(1)，所述外线圈(12)和外磁壳(6)上设有外磁极(5)，所述内磁极(1)、内磁芯(2)、内磁屏(3)、外磁屏(4)、外磁极(5)、外磁壳(6)、底板(7)、内线圈(11)、外线圈(12)为环形结构，所述内线圈(11)和内磁屏(3)、内磁屏(3)和外磁屏(4)、外磁屏(4)和外线圈(12)之间设有间隙，所述中置线圈架(9)顶部与内磁极(1)顶部固定连接。
2.根据权利要求1所述的一种改变中置阴极背景磁场的磁路结构，其特征在于所述阴极(8)远离底板(7)的一端端面与内磁极(1)远离底板(7)的一端端面平行。
3.根据权利要求1所述的一种改变中置阴极背景磁场的磁路结构，其特征在于所述阴极(8)中心轴线上的磁场强度分布为阴极背景磁场。
4.根据权利要求1所述的一种改变中置阴极背景磁场的磁路结构，其特征在于所述内线圈(11)励磁电流和匝数的乘积为内励磁安匝数Nin，所述内励磁安匝数Nin为600A-1200A。
5.根据权利要求1所述的一种改变中置阴极背景磁场的磁路结构，其特征在于所述外线圈(12)励磁电流和匝数的乘积为外励磁安匝数Nout，所述外励磁安匝数Nout为200A-600A。
6.根据权利要求1所述的一种改变中置阴极背景磁场的磁路结构，其特征在于所述中置线圈(10)励磁电流和匝数的乘积为中置励磁安匝数Nc，所述中置励磁安匝数Nc为-500A-500A。
7.根据权利要求1所述的一种改变中置阴极背景磁场的磁路结构，其特征在于所述阴极(8)远离底板(7)的一端端面与中心轴线交点的磁场强度为Bexit，所述Bexit为154G-238G。
8.根据权利要求1所述的一种改变中置阴极背景磁场的磁路结构，其特征在于所述阴极(8)远离底板(7)的一端端面与中心轴线交点的磁场强度梯度为Kexit，所述Kexit为11.5G/mm-20.8G/mm。
9.根据权利要求1所述的一种改变中置阴极背景磁场的磁路结构，其特征在于所述阴极(8)中心轴线上最大磁场强度为Bmax，所述Bmax为286G-303G。
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