[发明专利]一种3D打印技术制备叉指状芯片式微型超级电容器的方法在审

专利信息
申请号: 202110731796.8 申请日: 2021-06-30
公开(公告)号: CN113555230A 公开(公告)日: 2021-10-26
发明(设计)人: 孙义民;陈振宇;周爱军 申请(专利权)人: 武汉工程大学
主分类号: H01G11/84 分类号: H01G11/84;H01G11/86;H01G11/68;H01G11/24;H01G11/26;H01G11/28
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 李艳景;崔友明
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 打印 技术 制备 叉指状 芯片 式微 超级 电容器 方法
【权利要求书】:

1.一种3D打印技术制备叉指状芯片式微型超级电容器的方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)利用建模软件,设计叉指状芯片式电极图案;

2)以高分子丝材为原料,利用3D打印技术,打印出叉指状芯片式电极凹模具,所述叉指状芯片式电极凹模具由底板和凹槽构成的叉指状芯片式电极图案两部分组成;

3)在步骤2)所得叉指状芯片式电极凹模具的凹槽中通过滴涂工艺依次沉积银集流体、电极活性物质和银集流体,得到叉指状电极;

4)在步骤3)所得叉指状电极叉指部分涂抹电解质,电极两端连接铜片,过塑封装,制成叉指状芯片式微型超级电容器。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤2)中,凹槽深度为0.3-0.6mm。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤2)中,高分子丝材为聚乳酸、热塑性聚氨酯弹性体橡胶或聚己内酯。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤2)中,打印层高为0.1mm,打印精度为0.1mm,填充类型为网格,填充密度为100%,打印温度为150℃。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤3)中,在凹槽中通过滴涂工艺依次沉积银集流体、电极活性物质和银集流体的具体步骤为:在凹槽底部中滴加导电银浆,然后自然晾干,重复多次至凹槽底部被银完全覆盖,继续在凹槽中滴加电极活性物质分散液,然后自然晾干,重复多次至电极活性物质到达所需厚度,最后在电极活性物质表面滴加导电银浆,然后自然晾干,重复多次至形成银集流体覆盖层将电极活性物质完全覆盖。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,导电银浆为纳米银在乙酸乙酯中的分散液,浓度为20-50mg/ml的。

7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,电极活性物质分散液浓度为10-50mg/ml,溶剂为表面张力小于30mN/m的有机溶剂。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述溶剂为乙醇、甲醇、乙酸乙酯或苯。

9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤3)中,电极活性物质为碳材料、金属化合物、导电聚合物中的一种或两种。

10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤4)中,电解质为凝胶电解质,所述凝胶电解质为PVA/KOH、PVA/H2SO4或PVA/K2SO4

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