[发明专利]一种改善自对准双重曝光工艺侧墙倾斜的制作方法及装置

权利要求书

1.一种改善自对准双重曝光工艺侧墙倾斜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在待刻蚀层上沉积核心层，在所述核心层上形成光刻胶层，并形成光刻胶图案；

利用所述光刻胶图案对所述核心层进行刻蚀形成核心层图案，然后去除所述光刻胶图案；

微缩所述核心层图案；

侧墙薄膜沉积：在晶圆正面和背面沉积侧墙薄膜；并刻蚀沉积后的晶圆正面侧墙薄膜；

去除晶圆背面侧墙薄膜；

去除微缩后的所述核心层图案，留下所述晶圆正面侧墙薄膜；

以所述晶圆正面侧墙薄膜作为掩膜进行所述待刻蚀层刻蚀。

2.如权利要求1所述的改善自对准双重曝光工艺侧墙倾斜的制作方法，其特征在于，所述利用所述光刻胶图案对所述核心层进行刻蚀形成核心层图案，包括：光刻尺寸为最终图形尺寸的2-4倍。

3.如权利要求2所述的改善自对准双重曝光工艺侧墙倾斜的制作方法，其特征在于，所述核心层的刻蚀工艺，包括第一干法刻蚀形成核心层图案。

4.如权利要求1所述的改善自对准双重曝光工艺侧墙倾斜的制作方法，其特征在于，所述核心层图案的微缩工艺，包括第一湿法刻蚀。

5.如权利要求4所述的改善自对准双重曝光工艺侧墙倾斜的制作方法，其特征在于，微缩后的所述核心层图案尺寸为原来的1/4-1/2。

6.如权利要求1所述的改善自对准双重曝光工艺侧墙倾斜的制作方法，其特征在于，所述刻蚀晶圆正面侧墙薄膜的工艺，包括第二干法刻蚀。

7.如权利要求1所述的改善自对准双重曝光工艺侧墙倾斜的制作方法，其特征在于，所述去除晶圆背面侧墙薄膜的工艺，包括第二湿法刻蚀。

8.如权利要求7所述的改善自对准双重曝光工艺侧墙倾斜的制作方法，其特征在于，所述核心层的材料与所述侧墙薄膜的材料不并且所述核心层材料与对所述晶圆背面侧墙薄膜进行所述第二湿法蚀刻的蚀刻液不发生反应。

9.如权利要求1所述的改善自对准双重曝光工艺侧墙倾斜的制作方法，其特征在于，所述去除微缩后的所述核心层图案的工艺，包括第三湿法刻蚀。

10.一种改善自对准双重曝光工艺侧墙倾斜的装置，其特征在于，包括：生成光刻胶图案单元、生成核心层图案并光刻胶去除单元、核心层图案微缩单元、侧墙沉积单元、晶圆背面侧墙薄膜去除单元、核心层图案去除单元和待刻蚀层刻蚀单元，其中：

生成光刻胶图案单元：被配置为在待刻蚀层上沉积核心层，在所述核心层上形成光刻胶层，并形成光刻胶图案；

生成核心层图案并光刻胶去除单元：被配置为利用所述光刻胶图案对所述核心层进行刻蚀形成核心层图案，然后去除所述光刻胶图案；

核心层图案微缩单元：被配置为微缩所述核心层图案；

侧墙薄膜沉积单元：被配置为侧墙薄膜沉积，在晶圆正面和背面沉积上侧墙薄膜，刻蚀沉积后的所述晶圆正面侧墙薄膜进行；

晶圆背面侧墙薄膜去除单元：被配置为去除所述晶圆背面侧墙薄膜；

核心层图案去除单元：被配置为去除微缩后的所述核心层图案，留下所述晶圆正面侧墙薄膜；

待刻蚀层刻蚀单元：被配置为以所述晶圆正面侧墙薄膜作为掩膜进行所述待刻蚀层刻蚀。