[发明专利]一种用于通信的LED的器件

权利要求书

1.一种用于通信的LED的器件，其特征在于，包括衬底、若干个并联的并设置在所述衬底的芯粒、以及设置在若干个芯粒顶部的P电极；所述芯粒在所述衬底自下而上依次生长有非掺杂的GaN缓冲层、N-GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p-AlGaN电子阻挡层和P-GaN层；所述P电极设置在每个芯粒的P-GaN层的上层，所述P电极的材质为银纳米线；N-GaN层连接有N电极，若干个芯粒的N电极通过导线连接，所述导线还连接有焊点；所述N电极环形设置在所述N-GaN层的外侧面；所述用于通信的LED的器件还包括连接桥和保护层，所述连接桥设置于并联的芯粒的N-GaN层之间并与两个芯粒的N电极连接，导线设置在连接桥的上层并互连，在导线的上层设有保护层；连接桥和保护层的材质均为SiO₂。

2.如权利要求1所述的用于通信的LED的器件，其特征在于，所述N电极的材料为Ti、Al、Ni或Au中的一种或两种以上。

3.如权利要求1或2所述的用于通信的LED的器件，其特征在于，所述若干个芯粒的N电极所用材料均相同。

4.如权利要求3所述的用于通信的LED的器件，其特征在于，所述连接桥和保护层的制备方法为：刻蚀出mesa台面，得到N-GaN层后，在N-GaN层的上层沉积SiO₂层，然后在SiO₂层的上层光刻连接桥，在连接桥的上层蒸镀金属，并光刻出导线、N电极和焊点，在导线的上层沉积SiO₂层，得到保护层；所述金属为Ti、Al、Ni或Au中的一种或两种以上。

5.如权利要求1所述的用于通信的LED的器件，其特征在于，所述衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅或氮化镓中的一种。

6.如权利要求1所述的用于通信的LED的器件，其特征在于，所述芯粒的数量为3N个，N≥1且N为整数。

7.如权利要求1所述的用于通信的LED的器件，其特征在于，所述衬底的长度为5～20cm。

8.如权利要求1所述的用于通信的LED的器件，其特征在于，所述芯粒的直径为10～200μm。