[发明专利]半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；设于所述衬底上的半导体层，所述半导体层包括有源区和无源区；

设于所述有源区上的源极、漏极以及栅极，其中，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间；

设于所述无源区上的栅极焊盘和漏极焊盘，所述漏极与所述漏极焊盘金属连接，所述栅极和所述栅极焊盘金属连接；

以及设于所述源极上的源极测试焊盘；

其中，所述源极测试焊盘设置在所述源极的内部区域。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括覆盖所述源极、所述栅极、所述漏极、所述栅极焊盘以及所述漏极焊盘的钝化层；

所述钝化层上分别设有露出所述源极的第一开孔、露出所述栅极焊盘的第二开孔，以及露出所述漏极焊盘的第三开孔；其中，所述源极测试焊盘由源极测试焊盘金属填充于所述第一开孔内形成。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述源极测试焊盘金属填充于所述第一开孔内，所述源极测试焊盘与所述第一开孔在所述衬底上的正投影重合。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述源极测试焊盘包括第一部分和与所述第一部分连接的第二部分；

所述第一部分填充于所述第一开孔内，所述第一部分与所述第一开孔在所述衬底上的正投影重合，所述第一部分在远离所述衬底一侧与所述钝化层远离所述衬底一侧表面平齐；

所述第二部分自所述第一开孔内朝向远离所述衬底的一侧延伸，并在所述钝化层远离所述衬底的一侧表面沿平行于所述衬底的平面向所述第一开孔外侧延伸；其中，所述第二部分在所述衬底上的正投影覆盖所述第一部分。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括栅极测试焊盘，所述栅极测试焊盘由栅极测试焊盘金属填充于所述第二开孔内形成；和/或，所述半导体器件还包括漏极测试焊盘，所述漏极测试焊盘由漏极测试焊盘金属填充于所述第三开孔内形成。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述源极测试焊盘金属是Ni、Pd、Pt、Au、Ti中的任意一种或几种的组合。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源极包括N个，所述漏极和所述栅极分别包括N+1个，所述N为大于或等于1的正整数；其中，所述漏极和所述源极沿所述有源区的第一方向交替排布，所述栅极插设于相邻的所述漏极和所述源极之间，所述第一方向与所述栅极焊盘和所述漏极焊盘的连线方向垂直。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源极具有接地通孔时，所述接地通孔位于所述源极靠近所述漏极焊盘的一侧，所述源极测试焊盘位于所述源极靠近所述栅极焊盘的一侧，且所述源极测试焊盘和所述接地通孔在所述衬底上的正投影无交叠区域。

9.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述源极包含欧姆金属层，所述第一开孔在所述衬底上的正投影与所述欧姆金属层在所述衬底上的正投影无交叠区域。

10.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成半导体层，所述半导体层包括有源区和无源区；

在所述有源区上分别制作源极、漏极和栅极，在所述无源区上制作栅极焊盘和漏极焊盘；

将所述漏极和所述漏极焊盘，以及所述栅极和所述栅极焊盘分别进行金属互连，以形成第一器件结构；

在所述第一器件结构远离所述衬底的一侧形成钝化层；

通过光刻、刻蚀工艺在所述钝化层上形成第一开孔以露出所述源极、形成第二开孔以露出所述栅极焊盘，以及第三开孔以露出所述漏极焊盘；

在所述第一开孔内蒸镀金属以形成源极测试焊盘；

其中，所述源极测试焊盘设置在所述有源区内，且设置于所述源极的内部区域。