[发明专利]一种测试结构、测试系统和测试方法在审
| 申请号： | 202110723120.4 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113451276A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 张泽华;张敏;孔令枫;杨盛玮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨丽爽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 测试 结构 系统 方法 | ||
1.一种测试结构，其特征在于，包括：金属互连线、待测试半导体器件和测试焊盘；
所述金属互联线和所述待测试半导体器件位于同一晶圆，所述金属互联线包括测试金属结构，所述测试金属结构用于金属层间介质层测试的金属结构中的部分结构；
所述待测试半导体器件和所述测试焊盘通过所述金属互联线连接；
所述测试焊盘用于提供测试电压；
所述待测试半导体器件的电学性能用于体现所述金属互联线对所述待测试半导体器件产生的等离子体诱生损伤影响。
2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试金属结构为梳状结构或折线结构。
3.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试金属结构为多层结构，相邻的两层结构平行或交错设置。
4.根据权利要求3所述的测试结构，其特征在于，所述相邻的两层结构通过通孔互相连接。
5.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述待测试半导体器件为MOS晶体管。
6.根据权利要求5所述的测试结构，其特征在于，所述金属互联线连接所述MOS晶体管的栅极或源极。
7.一种测试系统，其特征在于，包括：第一金属互联线、第二金属互联线、第一待测试半导体器件、第二待测试半导体器件、第一测试焊盘和第二测试焊盘；
所述第一待测试半导体器件和所述第一测试焊盘通过所述第一金属互联线连接，所述第二待测试半导体器件和所述第二测试焊盘通过所述第二金属互联线连接；
所述第一金属互连线包括第一测试金属结构，所述第二金属互连线包括第二测试金属结构，所述第一测试金属结构和所述第二测试金属结构属于同一组用于金属层间介质层测试的金属结构，用于连接不同的金属层间介质层测试电压。
8.根据权利要求7所述的测试系统，其特征在于，所述第一测试金属结构和所述第二测试金属结构为梳状结构，所述第一测试金属结构和所述第二测试金属结构相互嵌入或两层平行相对设置。
9.根据权利要求7所述的测试系统，其特征在于，所述第一待测试半导体器件为N型MOS晶体管，所述第二待测试半导体器件为P型MOS晶体管。
10.一种测试方法，其特征在于，包括：为测试焊盘提供测试电压；
所述测试电压通过所述测试焊盘与金属互联线到达待测试半导体器件；所述金属互联线包括测试金属结构，所述测试金属结构为金属层间介质层测试的金属结构中的部分结构；
对所述待测试半导体器件进行电学性能的测试，以得到所述金属互联线对所述待测试半导体器件产生的等离子体诱生损伤影响。
11.根据权利要求10所述的测试方法，其特征在于，所述金属互联线与所述待测试半导体器件的栅极连接；
所述对所述待测试半导体器件进行电学性能的测试包括：
测试所述待测试半导体器件的栅极氧化层的漏电流。
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