[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干相互分立的有源区，若干所述有源区沿第一方向排列，且若干所述有源区平行于第二方向，所述第一方向与第二方向相互垂直；

位于所述衬底内的若干第一凹槽，所述第一凹槽自第一面向第二面延伸，若干所述第一凹槽沿第二方向排列，且所述第一凹槽沿第一方向贯穿若干所述有源区；

位于第一凹槽内的字线栅极结构，所述字线栅极结构内包括相对的第一侧区和第二侧区，所述第二侧区与所述有源区邻接；

位于字线栅极结构第一侧区和有源区之间的密闭腔；

位于各所述有源区的第一面上的若干电容结构；

位于衬底第二面上的若干位线结构，若干所述位线结构沿第一方向排列，且若干所述位线结构平行于第二方向。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于字线栅极结构顶部表面、有源区顶部表面和密闭腔顶部的第一介质层。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述密闭腔侧壁表面和底部表面的第二介质层。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述字线栅极结构包括位于第一凹槽侧壁表面和底部表面的栅介质层以及位于栅介质层表面的栅极层。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述密闭腔在朝向衬底第二面的方向上的底部平面低于所述栅极层高度的二分之一。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极层的材料包括多晶硅或金属，所述金属包括钨。

7.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极层包括位于第一凹槽底部的第一分部和位于第一分部上的第二分部，所述第一分部和第二分部的材料不同。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第二分部的高度与第一分部高度的比例范围为1:4~4:1。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第一分部的材料包括金属，所述金属包括钨，所述第二分部的材料包括多晶硅；所述密闭腔在朝向衬底第二面的方向上的底部平面低于所述第二分部在朝向衬底第二面的方向上的底部平面。

10.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第一分部的材料包括多晶硅，所述第二分部的材料包括金属，所述金属包括钨；所述密闭腔在朝向衬底第二面的方向上的底部平面低于所述第一分部在朝向衬底第二面的方向上的底部平面。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述密闭腔的深宽比的比值范围为10~30。

12.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于有源区的第一面的第一掺杂区；各电容结构分别与一个第一掺杂区电连接。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述电容结构在有源区的第一面上的投影至少与部分所述第一掺杂区重合。

14.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述字线栅极结构朝向衬底第一面的顶部表面低于所述第一掺杂区朝向衬底第二面的底部表面。

15.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于有源区的第二面的第二掺杂区；各位线结构分别与一个有源区内的第二掺杂区电连接。

16.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，相邻有源区之间具有隔离结构；所述衬底第二面暴露出所述隔离结构。