[发明专利]一种快速启动中红外激光器控制系统及相应的控制方法

权利要求书

1.一种快速启动中红外激光器控制系统，其特征在于，所述快速启动中红外激光器控制系统包括：中红外激光器、信息监测反馈系统、信息处理系统、晶体调节装置和晶体载体，其中：

所述信息监测反馈系统与所述信息处理系统连接，用于实时监测所述中红外激光器的当前环境信息和所述中红外激光器的当前状态信息，并将所述当前环境信息和当前状态信息传输给所述信息处理系统；

所述信息处理系统与所述信息监测反馈系统和晶体调节装置连接，用于根据所述信息监测反馈系统传来的信息判断当前中红外激光器光路中的晶体与当前环境条件是否匹配，若当前中红外激光器光路中的晶体与当前环境条件匹配，则开启所述中红外激光器，输出3.8μm中红外激光，若当前中红外激光器光路中的晶体与当前环境条件不匹配，则生成控制信号并传输给所述晶体调节装置，以应对环镜条件的突变；

所述晶体调节装置与所述信息处理系统和晶体载体连接，用于接收所述信息处理系统传来的控制信号，并根据所述控制信号生成调节信号，通过调节所述晶体载体的位置实现对于不同周期Nd:MgO:PPLN晶体位置的调节。

2.根据权利要求1所述的控制系统，其特征在于，所述晶体载体通过连接组件与所述晶体调节装置相连，用于承载多块不同周期的Nd:MgO:PPLN晶体，并通过连接组件接受所述晶体调节装置的驱动。

3.根据权利要求2所述的控制系统，其特征在于，所述信息监测反馈系统为环境温度监测反馈系统或激光器输出波长监测反馈系统。

4.根据权利要求2或3所述的控制系统，其特征在于，所述晶体调节装置为电动式晶体调节装置或手动式晶体调节装置。

5.根据权利要求4所述的控制系统，其特征在于，所述多块不同周期的Nd:MgO:PPLN晶体采用a轴切割，晶体尺寸为：厚×宽×长＝2mm×6mm×40mm，MgO掺杂浓度设定在5％，Nd³⁺离子掺杂浓度设定在0.4％。

6.根据权利要求5所述的控制系统，其特征在于，所述Nd:MgO:PPLN晶体两端镀有对于813nm以及1080-1090nm基频光波段增透膜，1400nm-1700nm信号光波段和3300nm-4200nm闲频光波段高透膜。

7.根据权利要求1-6任一所述的控制系统，其特征在于，所述晶体调节装置为伺服电机驱动器控制的伺服电机。

8.一种快速启动中红外激光器控制方法，其特征在于，所述快速启动中红外激光器控制方法包括以下步骤：

步骤S101，信息监测反馈系统实时监测中红外激光器的当前环境信息和中红外激光器输出状态信息，并将所述当前环境信息和中红外激光器输出状态信息传输给信息处理系统；

步骤S102，信息处理系统根据所述信息监测反馈系统传来的信息判断当前中红外激光器光路中的晶体周期与当前环境条件是否匹配，若当前中红外激光器光路中的晶体周期与当前环境条件匹配，则开启所述中红外激光器，输出3.8μm中红外激光，若当前中红外激光器光路中的晶体周期与当前环境条件不匹配，则生成控制信号并传输给所述晶体调节装置；

步骤S103，晶体调节装置根据接收到的控制信号生成调节信号，通过调节晶体载体的位置实现对于不同周期Nd:MgO:PPLN晶体位置的调节。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述晶体载体通过连接组件与所述晶体调节装置相连。

10.根据权利要求8或9所述的激光器，其特征在于，所述晶体调节装置为由伺服电机驱动器控制的伺服电机。