[发明专利]一种TFT阵列基板、显示面板及电子设备

说明书

本公开实施例提供了一种TFT阵列基板、显示面板及电子设备，TFT阵列基板包括：多个GOA模型，一个GOA模型用于驱动一行像素；每个GOA模型包括多对TFT单元，每对TFT单元中的每个TFT单元包括多个TFT，多个TFT的三极组成TFT单元的三极走线，三极为栅极、源极和漏极；其中，每对所述TFT单元的第一TFT单元与第二TFT单元中三极走线排版的形状、大小均相同，第一TFT单元与第二TFT单元的三极走线中具有相同信号的电极走线中的一极或两极配置为共用走线。本公开实施例将每个GOA模型中每对TFT单元内具有相同信号的电极走线中的一极或两极配置为共用走线，进而减小GOA排版区所占空间。

技术领域

本公开涉及显示器领域，特别涉及一种TFT阵列基板、显示面板及电子设备。

背景技术

对于新产品而言，THO6090(Temperature(60℃)humidity(90％)Operation)是一个重要评价标准，即在高温高湿的恶劣环境下运行屏幕，评价屏幕正常显示持续时间，正常显示持续时间越长越好，目前厂内的最低标准是大于等于1000小时。THO异常显示的原因是随着评价时间的推移，水汽侵入GOA(Gate on Array，门阵列)区域中的Seal胶腐蚀信号线，导致Seal胶下CLK信号线短接从而屏幕异常显示。目前，对于Oxide(氧化物)产品而言，很多产品都很难达到最低标准，导致量产推迟，客户满意度降低。

当前厂内为了使Oxide产品满足THO测试标准，厂内采用了多种方法对应，其中之一就是增大GOA区域内Seal胶外边缘与产品CLK信号线距离的方法，但这又会导致产品边框增加，且与市场上产品窄边框化的发展趋势相悖。因此，为了能满足Seal胶与CLK信号线距离要求从而促进解决THO异常显示问题，且跟随符合市场发展趋势，减小GOA排版空间是一个亟待解决的重要问题。

目前，Oxide产品的GOA模型(即驱动一行像素的GOA)采用A、B两组降噪TFT(ThinFilm Transistor，薄膜晶体管)单元交替工作的方式以延长产品寿命，中A组和B组的形状大小需完全保持一致，避免交替工作时出现不良，每个TFT单元均由多个TFT累加构成，TFT单元呈矩形，导致GOA排版区所占空间较大，不利于实现窄边框。

发明内容

有鉴于此，本公开实施例提出了一种TFT阵列基板、显示面板及电子设备，用以解决现有技术的如下问题：Oxide产品的GOA模型采用A、B两组降噪TFT单元交替工作的方式以延长产品寿命，每个TFT单元均由多个TFT累加构成，TFT单元呈矩形，导致GOA排版区所占空间较大，不利于实现窄边框。

一方面，本公开实施例提出了一种TFT阵列基板，包括：多个GOA模型，一个所述GOA模型用于驱动一行像素；每个所述GOA模型包括多对TFT单元，每对TFT单元中的每个所述TFT单元包括多个TFT，多个所述TFT的三极组成所述TFT单元的三极走线，所述三极为栅极、源极和漏极；其中，每对所述TFT单元的第一TFT单元与第二TFT单元中所述三极走线排版的形状、大小均相同，所述第一TFT单元与所述第二TFT单元的所述三极走线中具有相同信号的电极走线中的一极或两极配置为共用走线。

在一些实施例中，在具有相同信号的所述电极走线的数量为两个、且所述电极走线包括源极走线和/或漏极走线时，所述源极走线和/或所述漏极走线配置为共用走线。

在一些实施例中，在具有相同信号的所述电极走线的数量为一个、且所述电极走线不是所述栅极走线时，所述源极走线或所述漏极走线配置为共用走线。

在一些实施例中，在所述第一TFT单元与所述第二TFT单元具有相同的源极信号和漏极信号时，所述第一TFT单元与所述第二TFT单元的所述源极走线配置为共用走线。

在一些实施例中，在所述第一TFT单元与所述第二TFT单元具有相同的源极信号和漏极信号时，所述第一TFT单元与所述第二TFT单元的所述漏极走线配置为共用走线。