[发明专利]一种外延结构及其制备方法

权利要求书

1.一种外延结构，其特征在于，包括：

硅衬底，所述硅衬底具有第一表面和背离所述第一表面的第二表面；

外延层，所述外延层设置在所述第一表面；

所述外延层包括若干子外延层和网格状裂纹，所述若干子外延层被配置为由所述网格状裂纹隔开，所述外延层的材料为III-V族材料；

所述第二表面上设置有向所述第一表面方向凹陷的网格状图案，所述网格状裂纹在所述第二表面上的投影与所述网格状图案重合或重叠。

2.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述网格状图案的网格单元和所述网格状裂纹的网格单元为平行四边形。

3.根据权利要求2所述的外延结构，其特征在于，所述网格状裂纹的网格单元为菱形；

和/或，所述网格单元的两条对边之间的距离为100um-10mm；

和/或，所述网格状图案的深度为10-200um。

4.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述硅衬底为硅(111)硅片，所述网格状图案上的网格线被配置为沿所述第二表面的110晶向延伸。

5.一种外延结构，其特征在于，包括：

硅衬底，所述硅衬底具有第一表面；

外延层，所述外延层设置在所述第一表面；

所述外延层包括若干子外延层和网格状裂纹，所述若干子外延层被配置为由所述网格状裂纹隔开，所述外延层的材料为III-V族材料；

所述硅衬底内部设置有网格状图案埋层，所述网格状裂纹在所述网格状图案埋层所在平面上的投影与所述网格状图案埋层重合或重叠。

6.根据权利要求5所述的外延结构，其特征在于，所述硅衬底包括第一硅片和第二硅片，所述第二硅片具有所述第一表面和背离所述第一表面的第二表面，所述第二表面设置有向所述第一表面方向凹陷的网格状图案，所述网格状图案埋层被配置为通过所述第二硅片的第二表面与所述第一硅片叠合，由所述网格状图案产生的在所述第二硅片的第二表面与所述第一硅片之间的空隙；

或者，所述硅衬底包括第一硅片和第二硅片，所述第二硅片具有所述第一表面和背离所述第一表面的第二表面，所述第一硅片具有第三表面和背离所述第三表面的第四表面，所述第三表面设置有向所述第四表面方向凹陷的网格状图案，所述网格状图案埋层被配置为通过所述第一硅片的第三表面与所述第一硅片的第二表面叠合，由所述网格状图案产生的在所述第一硅片的第三表面与所述第二硅片之间的空隙。

7.根据权利要求5所述的外延结构，其特征在于，所述网格状图案的网格单元和所述网格状裂纹的网格单元分别为平行四边形。

8.根据权利要求7所述的外延结构，其特征在于，所述网格单元的两条对边之间的距离为100um-10mm；

和/或，所述网格状图案的深度为1-100um。

9.根据权利要求6所述的外延结构，其特征在于，所述硅衬底包括第一硅片和第二硅片，所述第二硅片具有所述第一表面和背离所述第一表面的第二表面，所述第二表面设置有向所述第一表面方向凹陷的网格状图案，所述网格状图案埋层被配置为通过所述第二硅片的第二表面与所述第一硅片叠合，由所述网格状图案产生的在所述第二硅片的第二表面与所述第一硅片之间的空隙，所述第一硅片和所述第二硅片分别为(111)硅片，所述网格状图案上的网格线被配置为沿所述第二表面的110晶向延伸；

或者，所述硅衬底包括第一硅片和第二硅片，所述第二硅片具有所述第一表面和背离所述第一表面的第二表面，所述第一硅片具有第三表面和背离所述第三表面的第四表面，所述第三表面设置有向所述第四表面方向凹陷的网格状图案，所述网格状图案埋层被配置为通过所述第一硅片的第三表面与所述第一硅片的第二表面叠合，由所述网格状图案产生的在所述第一硅片的第三表面与所述第二硅片之间的空隙，所述第一硅片和所述第二硅片分别为(111)硅片，所述网格状图案上的网格线被配置为沿所述第三表面的110晶向延伸。