[发明专利]光学系统和操作光刻曝光设备的方法

权利要求书

1.一种光学系统，包含至少一个反射镜布置(1)，所述反射镜布置包括：

-多个反射镜元件(2a、2b)，其邻近地布置并且共同形成所述反射镜布置(1)的反射镜表面(3)；

-每个反射镜元件(2a、2b)包括基板(4a、4b)和在所述基板上(4a、4b)的多层布置(5a、5b)；

-所述多层布置(5a、5b)包含反射层系统(6a、6b)和压电层(8a、8b)，所述反射层系统(6a、6b)具有形成所述反射镜表面(3)的部分的辐射入射表面(7a、7b)，所述压电层(8a、8b)布置在所述辐射入射表面(7a、7b)和所述基板(4a、4b)之间；

-每个反射镜元件(2a、2b)包括与所述压电层(8a、8b)相关联的电极布置(9a、9b、9c)，以产生电场，其中所述压电层(8a、8b)的层厚度(tp)能够由所述电场控制；

互连布置(10)，其包括半导体材料且使邻近的电极布置(9a、9b、9c)的邻近的第一电极和第二电极(9a、9b)电互连，其中所述互连布置(10)在所述第一电极和第二电极(9a、9b)之间的间隙区域(11)中的电阻(Ri)大于所述第一电极和第二电极(9a、9b)的电阻(Rw)，并且小于具有所述第一电极和第二电极(9a、9b)的所述邻近的电极布置(9a、9b、9c)的压电层(8a、8b)的电阻(RI)；

反馈系统，其配置为执行以下步骤：

通过测量包括半导体材料的所述互连布置的电阻，测量通过吸收所述反射镜布置内的照射辐射导致的在所述反射镜布置内的局部温度分布，所述局部温度分布提供波前误差的源的估计；

基于所述局部温度分布的测量，生成用于所述反射镜布置的反馈信号；

基于所述反馈信号，单独调节施加到对应电极布置的特别的电压；

从而导致在所述反射镜布置的反射镜表面上的波前轮廓的空间解析设定。

2.根据权利要求1所述的光学系统，其中所述互连布置(10)在所述第一电极和第二电极(9a、9b)之间的所述间隙区域(11)中的电阻(Ri)在1千欧到10兆欧的范围中。

3.根据权利要求1或2所述的光学系统，其中所述第一电极和第二电极(9a、9b)的电阻(Rw)小于或等于1千欧。

4.根据权利要求1或2所述的光学系统，其中具有所述第一电极和第二电极(9a、9b)的所述邻近的电极布置(9a、9b、9c)的压电层(8a、8b)电阻(RI)大于或等于10兆欧。

5.根据权利要求1或2所述的光学系统，其中所述互连布置包括使多个或所有反射镜元件(2a、2b)互连的公共互连层(10)。

6.根据权利要求1或2所述的光学系统，其特征在于多个或所有反射镜元件(2)的压电层(8a、8b)形成公共压电层(8)。

7.根据权利要求1或2所述的光学系统，其特征在于多个或所有反射镜元件(2)的反射层系统(6a、6b)形成公共反射层系统(6)。

8.根据权利要求1或2所述的光学系统，其中所述反射层系统(6a、6b)适配于反射低于300纳米的波长范围中的电磁辐射。

9.根据权利要求1或2所述的光学系统，其中所述反射层系统(6a、6b)包括多个层对(12、13)，该层对具有高折射率层材料和低折射率层材料的交替层(12、13)。

10.根据权利要求1或2所述的光学系统，其中所述互连布置的互连层(10)的厚度(ti)在从50纳米到500纳米的范围中。

11.根据权利要求1或2所述的光学系统，其中所述第一电极和第二电极(9a、9b)的最大电极直径(D)在从0.5到50毫米的范围中。