[发明专利]封装结构、其制备方法及电子器件有效
| 申请号： | 202110718033.X | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113437033B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 林苡任;史波;肖婷 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;张高洁 |
| 地址： | 519000*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 结构 制备 方法 电子器件 | ||
1.一种封装结构，包括至少一个球栅阵列组件，其特征在于，所述球栅阵列组件处具有石墨烯导热层，所述球栅阵列组件中的焊球嵌于所述石墨烯导热层中；
所述石墨烯导热层由多层二维石墨烯薄膜堆叠而成，所述球栅阵列组件的所述石墨烯导热层中具有容纳所述焊球的嵌孔；
所述封装结构采用以下方法制备：
在印刷电路板上形成具有焊球嵌入的第一石墨烯导热层；
将双面覆铜陶瓷基板安装在所述第一石墨烯导热层上并使其通过所述焊球连接所述印刷电路板；
在所述双面覆铜陶瓷基板上形成具有焊球嵌入的第二石墨烯导热层；
将芯片安装在第二石墨烯导热层并使其通过所述焊球连接所述双面覆铜陶瓷基板；
在所述芯片上表面形成第三石墨烯导热层；
其中，依次生长多层二维石墨烯薄膜以形成所述石墨烯导热层，生长每层所述二维石墨烯薄膜时，按预设布局在其上形成供所述焊球嵌入的嵌孔；
所述芯片的下表面、所述双面覆铜陶瓷基板的上表面分别与所述第二石墨烯导热层的上下表面接触，所述双面覆铜陶瓷基板的下表面、所述印刷电路板的上表面分别与所述第一石墨烯导热层的上下表面接触。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，通过所述球栅阵列组件相互连接的功能组件，其表面与所述球栅阵列组件对应的所述石墨烯导热层的表面接触。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构中的芯片的上表面还设置有所述石墨烯导热层。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，每个所述球栅阵列组件中嵌于所述石墨烯导热层中的所述焊球对应的分布面积不小于预设值。
5.一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括：
在印刷电路板上形成具有焊球嵌入的第一石墨烯导热层；
将双面覆铜陶瓷基板安装在所述第一石墨烯导热层上并使其通过所述焊球连接所述印刷电路板；
在所述双面覆铜陶瓷基板上形成具有焊球嵌入的第二石墨烯导热层；
将芯片安装在第二石墨烯导热层并使其通过所述焊球连接所述双面覆铜陶瓷基板；
在所述芯片上表面形成第三石墨烯导热层；
其中，依次生长多层二维石墨烯薄膜以形成所述石墨烯导热层，生长每层所述二维石墨烯薄膜时，按预设布局在其上形成供所述焊球嵌入的嵌孔；
所述芯片的下表面、所述双面覆铜陶瓷基板的上表面分别与所述第二石墨烯导热层的上下表面接触，所述双面覆铜陶瓷基板的下表面、所述印刷电路板的上表面分别与所述第一石墨烯导热层的上下表面接触。
6.一种电子器件，其特征在于，其包括如权利要求1至4任一项所述的封装结构。
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