[发明专利]半导体元件与其制造方法

说明书

一种半导体元件与其制造方法，半导体元件包含基材与在基材的第一侧上的第一晶体管。半导体元件还包含接触第一晶体管的第一区的第一电极。半导体元件还包含沿着第一晶体管的侧壁延伸的间隔件。半导体元件还包含通过间隔件与第一电极的至少一部分隔开的自对准互连结构，其中自对准互连结构延伸通过基材。半导体元件还包含第二电极，该第二电极接触第一电极的最远离基材的表面，其中第二电极直接接触自对准互连结构。

技术领域

本揭露的一些实施例是关于一种半导体元件与其制造方法，尤其是关于半导体元件中的互连结构与其制造方法。

背景技术

半导体元件中的互连结构在晶体管及其他电路元件间往返导引电源及信号。晶体管面积的减小导致互连结构的拥挤程度增加。半导体元件中的寄生电容在互连结构中与彼此相邻的导电线路相关联，并对元件性能产生负面影响。互连结构的电阻随着导电线路及互连结构的通孔件或触点之间的每个交界而增加。电阻的增加会增加功耗，并延迟信号及功率传输。互连结构中导电线路的更长运行时间，及互连结构中更多的垂直连接数量，与半导体元件中晶体管的更慢开关速度相关联。

发明内容

此描述内容的态样有关于半导体元件。半导体元件包含基材与在基材的第一侧上的第一晶体管。半导体元件还包含接触第一晶体管的第一区的第一电极。半导体元件还包含沿着第一晶体管的侧壁延伸的间隔件。半导体元件还包含通过间隔件与第一电极的至少一部分隔开的自对准互连结构，其中自对准互连结构延伸通过基材。半导体元件还包含第二电极，第二电极接触第一电极的最远离基材的表面，其中第二电极直接接触自对准互连结构。

此描述内容的态样关于制造半导体元件的方法。此方法包含在基材的第一侧之上制造第一晶体管。此方法还包含靠着第一晶体管的侧壁沉积间隔件材料。此方法还包含凹陷间隔件材料以暴露第一晶体管的侧壁的第一部分。此方法还包含制造至第一晶体管的一第一电性连接结构，第一电性连接结构的第一部分接触第一晶体管的最远离基材的表面，且第一电性连接结构的第二部分接触第一晶体管的侧壁的第一部分，及此方法还包含制造沿着间隔件材料延伸的自对准互连结构(自对准互连结构)，其中间隔件材料将自对准互连结构的一部分与第一晶体管分离，且第一电性连接结构与自对准互连结构直接接触。

此描述内容的态样关于半导体元件。半导体元件包含基材与在基材的第一侧上的第一晶体管。半导体元件还包含在基材的第一侧上的第一互连结构，其中第一晶体管在第一互连结构与基材之间。半导体元件还包含在与基材的第一侧相对的基材的第二侧上制造互连结构。半导体元件还包含自对准互连结构，延伸通过基材，其中自对准互连结构直接连接至第一互连结构，且自对准互连结构直接连接至第二互连结构。

附图说明

当与随附图示一起阅读时，可由后文实施方式最佳地理解本揭露内容的态样。注意到根据此产业中的标准实务，各种特征并未按比例绘制。实际上，为论述的清楚性，可任意增加或减少各种特征的尺寸。

图1为根据一些实施例的半导体元件的截面视图；

图2A至图2B为根据一些实施例，半导体元件的立体视图；

图3A至图3D为根据一些实施例，半导体元件的截面视图；

图4A至图4R为根据一些实施例，在制造制程各种阶段期间的半导体元件的截面视图；

图5例示根据一些实施例，制作半导体元件的方法的流程图；

图6A为根据一些实施例，半导体元件的截面视图；

图6B为根据一些实施例，半导体元件的立体视图；

图7为根据一些实施例，电子制程控制(electronic process control，EPC)系统的方块图；

图8为根据一些实施例，与集成电路(integrated circuit，IC)制造系统及与其相关联的集成电路制造流程的方块图；