[发明专利]掩膜版、半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种掩膜版，用于半导体器件的光刻，其特征在于，所述半导体器件包括依次层叠的衬底、堆叠结构及光阻层，所述衬底包括器件区及位于所述器件区外围的切割道区；

所述掩膜版设有多个第一图案，所述第一图案用于在所述器件区的光阻层内形成开口，所述掩膜版还设有多个第二图案，所述第二图案用于在所述切割道区的光阻层内形成开口；

其中，所述第一图案和所述第二图案的形状、大小相同，所述多个第一图案的排布密度大于所述多个第二图案的排布密度。

2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述衬底包括阵列分布的多个所述器件区，所述切割道区包括交叉分布的多个第一切割道区和多个第二切割道区，所述第一切割道区沿第一方向延伸，所述第二切割道区沿第二方向延伸；

所述掩膜版对应至少一所述第一切割道区的部分和/或对应至少一所述第二切割道区的部分设有至少一图案阵列区，每一所述图案阵列区设有所述多个第二图案。

3.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版对应每一所述器件区的部分均相邻设置有一所述图案阵列区；或者

所述衬底呈圆形，所述掩膜版设有多个所述图案阵列区，且所述多个图案阵列区在所述衬底上的正投影与所述衬底的圆心分别具有不同的距离，所述多个图案阵列区的正投影沿所述衬底的同一径向分布或者沿所述衬底的不同径向分布。

4.如权利要求1-3任一项所述的掩膜版，其特征在于，多个所述第一图案和多个所述第二图案均呈多行多列阵列分布，所述第一图案的行方向和列方向分别与所述第二图案的行方向和列方向相同，其中，相邻两个所述第一图案之间的间距小于相邻两个所述第二图案之间的间距。

5.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，并在所述衬底的上方依次形成堆叠结构和光阻层，所述衬底包括器件区及位于所述器件区外围的切割道区；

在所述光阻层远离所述堆叠结构的一侧设置掩膜版，所述掩膜版对应所述器件区的部分设有多个第一图案，所述掩膜版对应所述切割道区的部分设有多个第二图案，其中，每一所述第一图案和每一所述第二图案的形状、大小相同，所述多个第一图案的排布密度大于所述多个第二图案的排布密度；

以所述掩膜版为掩膜进行刻蚀，以在所述光阻层中形成与所述多个第一图案及所述多个第二图案一一对应的多个开口；

以光刻后的所述光阻层为掩膜，通过所述光阻层的多个开口刻蚀所述堆叠结构，以在所述堆叠结构中形成沿垂直于所述堆叠结构的方向延伸的沟道孔；以及

在监测到至少一所述第二图案对应的开口的尺寸缩小至小于预设阈值时，判定所述堆叠结构刻蚀产生的副产物异常，停止对所述堆叠结构的刻蚀。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述副产物异常时，所述沟道孔未穿通所述堆叠结构。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，缩小至小于所述预设阈值的所述开口的数量与所述副产物的异常量呈正比。

8.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述衬底包括阵列分布的多个所述器件区，所述切割道区包括沿第一方向延伸且沿第二方向间隔的多个第一切割道区、以及沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向间隔的多个第二切割道区，所述多个第一切割道区和所述多个第二切割道区交叉分布；

所述掩膜版对应至少一所述第一切割道区的部分和/或对应至少一所述第二切割道区的部分包括至少一图案阵列区，每一所述图案阵列区设有所述多个第二图案。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述掩膜版对应每一所述器件区的部分均相邻设置有一所述图案阵列区。

10.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述掩膜版设有多个所述图案阵列区，且所述多个图案阵列区位于所述掩膜版对应所述衬底沿径向的不同位置。