[发明专利]一种免光刻快速制备微流控芯片的方法在审
| 申请号： | 202110716620.5 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113289703A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 李颖;覃珊珊;杨运煌;胡锐;刘买利 | 申请（专利权）人： | 中国科学院精密测量科学与技术创新研究院 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00 |
| 代理公司： | 武汉宇晨专利事务所(普通合伙) 42001 | 代理人： | 江丽丽 |
| 地址： | 430071 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 快速 制备 微流控 芯片 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种免光刻快速制备微流控芯片的方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）激光切割胶带：根据需要选择不同层数的胶带贴在平板上，利用激光切割胶带形成具有微通道的结构；
（2）制备阳模：将具有微通道结构的胶带转移至干净的基片上，然后在胶带的微结构处均匀涂上正光刻胶，待光刻胶固定后移走胶带，得到正光刻胶阳模；
（3）浇注PDMS：将PDMS和固化剂均匀混合并排气泡后浇注到正光刻胶阳模上，待PDMS固化后将制得的PDMS板从阳模上切下，打孔、封接得到PDMS芯片。
2.根据权利要求1所述的免光刻快速制备微流控芯片的方法，其特征在于，所述基片为平整的板块，优选硅片或载玻片。
3.根据权利要求1所述的免光刻快速制备微流控芯片的方法，其特征在于，所述PDMS与固化剂比例为10：1。
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