[发明专利]存储器器件、晶体管及形成存储单元的方法

权利要求书

1.一种存储器器件，包括存储单元，所述存储单元包括：

底部电极层；

高介电常数介电层，设置在所述底部电极层上；

不连续的晶种结构，包括设置在所述高介电常数介电层上的金属的颗粒；

铁电(FE)层，设置在所述晶种结构上且直接接触被所述晶种结构暴露出的所述高介电常数介电层的部分；以及

顶部电极层，设置在所述铁电层上。

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述金属包括W、Mo、或它们的组合。

3.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述高介电常数介电层包含AlO、MgO、LaAlO₃、或它们的组合。

4.根据权利要求3所述的存储器器件，其中所述铁电层包含HfO₂、HfZrO、Pb[Zr_xTi_1-x]O₃(0≤x≤1)、PbTiO₃、HfLaO、或它们的组合。

5.根据权利要求3所述的存储器器件，其中所述铁电层的初生相为正交相。

6.根据权利要求1所述的存储器器件，进一步包括：

衬底；

晶体管，设置在所述衬底上，所述晶体管包括：

源极区及漏极区，形成在所述衬底中；

沟道区，形成在所述源极区与所述漏极区之间的所述衬底中；

晶体管高介电常数介电层，设置在所述沟道区上；

栅极电极，设置在所述晶体管高介电常数介电层上；

其中所述存储单元的所述底部电极层电连接到所述源极区或所述漏极区。

7.根据权利要求6所述的存储器器件，进一步包括：

位线，电耦合到所述源极区；

漏极通孔接触件，电耦合到所述漏极区及所述底部电极层；以及

字线，电耦合到所述栅极电极。

8.一种晶体管，包括：

半导体结构，包括源极区、漏极区、及设置在所述源极区与所述漏极区之间的沟道区；

不连续的晶种结构，包括设置在所述沟道区上的金属的颗粒；

铁电(FE)层，设置在所述晶种结构上且直接接触被所述晶种结构暴露出的所述沟道区的部分；以及

栅极电极，设置在所述铁电层上。

9.一种形成存储单元的方法，包括：

在衬底之上沉积高介电常数介电层；

沉积不连续的晶种结构，所述不连续的晶种结构包括设置在所述高介电常数介电层上的金属的颗粒；

在所述晶种结构上及在被所述晶种结构暴露出的所述高介电常数介电层的部分上生长铁电(FE)层，

其中所述金属促进在所述铁电层中形成正交相。

10.根据权利要求9所述的形成存储单元的方法，进一步包括：

在所述衬底上在所述高介电常数介电层下方沉积底部电极层；以及

在所述铁电层上沉积顶部电极层。